25小时在线 158-8973同步7035 可微可电

回收--回收库存电子物料，深圳市电子有限公司是一家电子物料终端回收商，主要回收集成电路ic、指纹芯片、指纹模组、钽电容、连接器、mos管、晶振、二三 管、滤波器、双工器、继电器、传感器、igbt、桥堆、电容电阻、服务器cpu、硬盘及ssd、ddr颗粒、flash、闪存芯片、内存芯片、内存卡tf卡，sd卡，cf卡、u盘、手机配件、平板配件、数码产品配件等，与国内众多大型企业bbk、tcl、创维、比亚迪、samsung、康佳、富士康......、电子工厂、ic经销商建立了的合作关系，获得了诸多客户的信誉与支持。本公司总部设在深圳，业务范围覆盖深圳、东莞、广州、惠州、珠海、中山、佛山、江门、肇庆等珠三角地区，上海、江苏、浙江等长三角地区，华北地区的北京、天津，华东地区的江西、山东，华中地区的河南郑州、湖南长沙，西南地区的重庆、四川，西北地区的陕西西安，以及香港行政区。

回收指纹芯片、指纹模组

回收手机配件：回收手机主板、手机pcba、手机屏、手机触摸、手机tp、手机头、手机电池、手机数据线、手机充电器、手机壳、手机按键、手机排线......

回收平板配件：回收平板主板、平板液晶、平板触摸、平板tp、平板头、平板电池、平板数据线、平板充电器......

随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  LSM6DS3TR L78M05CDT-TR LF33ABDT-TR STLM20DD9F LM317D2T-TR STL8N6F7 ESDA6V1SC6 M24LR04E-RMN6T/2 LF120CDT-TR M24LR04E-RDW6T/2 STM6510SCACDG6F LM135Z ST1S32PUR VN7016AJTR LM217MDT-TR TDA7377 M24C64-FMC6TG M95010-WMN6TP L78M08ABDT-TR L7812ABV LM2901YDT L78L12ABD-TR LF33CV