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伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 辅助 LED 封装

在 LED（发光二极管）封装工艺工程中, 器件表面的氧化物及颗粒污染物会降低产品的可靠性, 影响产品的质量. 某 LED制造商为了保证有效清洗 LED 器件表面的氧化物及颗粒污染物, 采用伯东伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 在LED 封装前进行离子清洗.

伯东 KRI 考夫曼 RFICP220 技术参数:

型号	RFICP220
Discharge	RFICP 射频
离子束流	>800 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	20 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	10-40 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr
长度	30 cm
直径	41 cm
中和器	LFN 2000

客户清洗的工作流程:

在真空状态下, 利用射频源将氩气电离成高能量的离子去撞击LED上的有机污染物及微颗粒污染物, 从而使得污染物被轰击除掉.

为了避免二次污染, 该清洗工艺, 真空度要求10-7 hPa, 客户采用的是伯东Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 1800 UC, 该型号可以倒装和抗腐蚀,

伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 1800 技术参数：

分子泵型号	接口 DN		抽速 l/s			压缩比	启动压强mbar	极限压力	全转速气体流量hPa l/s	启动时间	重量
分子泵型号	进气	排气	氮气 N2	氦气He	氢气 H2	氮气 N2	氮气N2	hPa	氮气N2	min	kg
Hipace 1800 UC	200	40	1,450	1,650	1,700	> 1X108	1.8	< 1X10–7	20	4	33 – 34

运行结果:

1. 从下图离子射频清洗氧化膜前后对比可以看出, KRI 考夫曼 RFICP220 有效的清洗除去污染物

从使用和未使用离子清洗的拉力强度对比, 使用离子清洗后键合引线拉力强度有明显增加

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