伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 辅助 LED 封装
在 LED(发光二极管 )封装工艺工程中, 器件表面的氧化物及颗粒污染物会降低产品的可靠性, 影响产品的质量. 某 LED制造商为了保证有效清洗 LED 器件表面的氧化物及颗粒污染物, 采用伯东伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 在LED 封装前进行离子清洗.

伯东 KRI 考夫曼 RFICP220 技术参数:

型号

RFICP220

Discharge

RFICP 射频

离子束流

>800 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

20 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

10-40 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

30 cm

直径

41 cm

中和器

LFN 2000

 

客户清洗的工作流程:

在真空状态下, 利用射频源将氩气电离成高能量的离子去撞击LED上的有机污染物及微颗粒污染物, 从而使得污染物被轰击除掉.

 

为了避免二次污染, 该清洗工艺, 真空度要求10-7 hPa, 客户采用的是伯东Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 1800 UC, 该型号可以倒装和抗腐蚀,

 

伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 1800 技术参数:

分子泵型号

接口 DN

抽速 l/s

压缩比

启动压强mbar

极限压力

全转速气体流量hPa l/s

启动
时间

重量

进气

排气

氮气
N2

氦气He

氢气 H2

氮气
N2

氮气N2

 hPa

氮气N2

min

kg

Hipace 1800 UC

200

40

1,450

1,650

1,700

> 1X108

1.8

< 1X10–7

20

4

33 – 34

 

运行结果:

1. 从下图离子射频清洗氧化膜前后对比可以看出, KRI 考夫曼 RFICP220 有效的清洗除去污染物

从使用和未使用离子清洗的拉力强度对比, 使用离子清洗后键合引线拉力强度有明显增加

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