25小时在线 158-8973同步7035 可微可电元件:工厂在加工时没改变原材料分子成分的产品可称为元件，元件属于不需电子元器件要能源的器件。它包括:电阻、电容、电感。(又称为被动 元件passive components) 电子的单向作用场性质在物理的范围内失效，因为物理的点电荷概念包含了成千上万的电子（负电）或质子（正电）。在物理中点电荷的电场是大量电子或离子的总体效应，是满足矢量叠加的矢量场。 4性质特征编辑电子块头小重量轻（比μ介子还轻205倍)，被归在亚原子粒子中的轻子类。轻子是物质被划分的作为基本粒子的一类。电子带有二分之一自旋，满足费米子的条件（按照费米-狄拉克统计）。电子所带电荷约为-1.6×10-19库仑，质量为9.10×10-31kg（0.51mev/c2）。通常被说为e-。与电子电性相反的粒子被称为正电子，它带有与电子相同的质量，自旋和等量的正电荷。电子在原子内做绕核运动， 越大距核运动的轨迹越远，有电子运动的空间叫电子层，层多可有2个电子。层多可以有8个， n层多可容纳2n2个电子，外层多容纳8个电子。后一层的电子数量决定物质的化学性质是否活泼，1、2、3电子为金属元素，4、5、6、7为非金属元素，8为稀有气体元素。物质的电子可以失去也可以得到，物质具有得电子的性质叫做氧化性，该物质为氧化剂；物质具有失电子的性质叫做还原性，该物质为还原剂。物质氧化性或还原性的强弱由得失电子难易决定，与得失电子多少无关。东芝（toshiba）以2009年开发的bics—3d nand flash技术，从2014年季起开始小量试产，目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路，东芝与新帝（sandisk）合资的日本三重县四日市晶圆厂，期工程扩建计划预计2014年q3完工，q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光（micron）、英特尔（intel）阵营，也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ，计划于2014年q2送样测试，快于年底量产。  由于3d nand flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更长时间，且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时，故初期3d nand flash芯片将以少量生产为主，对整个移动设备与储存市场上的替代效应，在明年底以前应该还看不到。  另一种称为动态ram（dynamic ram/dram），dram保留数据的时间很短，速度也比sram慢，不过它还是比的rom都要快，但从价格上来说dram相比sram要便宜很多，计算机内存就是dram的。