上海回收三星内存条K9F1208UOB-PCBO
25小时在线 158-8973同步7035 可微可电相信大家都知道,在芯片产业链共分为idm、foundry、fabless三种模式,其中fabless则指芯片设计厂商,只设计芯片不生产制造芯片产品,如华为、高通、联发科、苹果等,而foundry则指芯片代工厂商,只具备芯片生产制造能力,并不具备芯片设计能力,如台积电、中芯、华虹半导体等等,而实力强的则是idm芯片模式,具备了芯片设计、芯片制造、芯片封测等 能力,从设计到后生产制造部都能够自己搞定,比如intel、三星等,或许也是因为整个芯片产业链技术门槛较高,所以国内芯片厂商 的都只是fabless厂商,而idm芯片厂商则更少。
  而就在段时间,国内手机odm闻泰科技直接并购了安世半导体,安世半导体作为汽车领域的idm芯片,也是功率半导体企业,这也意味着闻泰科技是国内甚至是强的idm芯片,自己可以搞定芯片设计、芯片制造、芯片封测等 能力。
随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏(macronix)在2006年提出multi tft(thin film transistor)的堆叠nand设计概念,同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器,2007年东芝发表bics,2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat,2010年旺宏发表vg tft,2011发表pnvg tft,同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会,旺宏公布以75 制程,tft be-sonos制程技术装置的vg(垂直闸) 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程,2013年进入36nm制程,2015年进入2xnm制程,制程进度落后其他大厂甚多。  三星(samsung)同样于2006年发表stacked nand,2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月,三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片,采用基于3d ctf(charge trap flash)技术和垂直堆叠单元结构,单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量,比目前20nm平面nand flash多两倍,性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者,v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟,从2013年 四季开始,陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  ADS1246IPWR TS5A4624DCKT TS5A4624DCKR TS5A3157DBVR TS5A3159ADBVT TS5A9411DCKT LMP8645HVMKE/NOPB INA168NA/3K TPS22944DCKR LM2664M6X/NOPB TPS22904YFPT TPS2559DRCR TPS22944DCKR LPC1112FHN33/102 LPC1343FHN33 FSEZ1317MY LMH6643MAX AD7541AKR HEF4013BP ADM213EARSZ LTC7510EUH NCP6336BFCCT1G
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