KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积纳米纯 Ti 薄膜

 Ti 薄膜具有优异的力学性能、热稳定性、生物相容性和良好的抗摩擦磨损性被广泛应用于航空航天、医疗器械、光学和微电子器件等领域因此具有重要的研究价值.

 

西安某大学实验室在纳米纯 Ti 薄膜的研究中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积纳米纯 Ti 薄膜制备出的纯Ti薄膜可集膜层致密光滑、沉积速率快和平均晶粒尺寸小于20nm等优点.

 

伯东 KRI  RFICP220 技术参数:

型号

RFICP220

Discharge

RFICP 射频

离子束流

>800 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

20 cm Φ

离子束

聚焦,  平行,  散射

流量

10-40 sccm

通气

Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

30 cm

直径

41 cm

中和器

LFN 2000

可选灯丝中和器可变长度的增量

KRI 射频离子源 RFICP 220

该溅射沉积是在真空 9×10-5Pa—3×10-4Pa 的真空腔里, 通入气流量为 70ml/min 的氩气利用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 产生的氩离子轰击靶材溅射沉积 Ti 膜层镀膜持续时间3090min完成镀膜的样品待冷却后取出.

 

KRI 的独特功能实现了更好的性能增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 已经获得了理想的薄膜和表面特性而这些特性在不使用 KRI 技术的情况下是无法实现的.

 

因此该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺.

 

伯东是德国  ,  ,  ,  ,  美国  ,  美国HVA 真空阀门,  美国  ,  美国 Ambrell 和日本 NS 等进口品牌的指定代理商.

 

若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:

上海伯东罗先生                               台湾伯东王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
                    

伯东版权所有,  翻拷必究!

郑重声明:资讯 【KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积纳米纯 Ti 薄膜】由 伯东企业(上海)有限公司 发布,版权归原作者及其所在单位,其原创性以及文中陈述文字和内容未经(企业库qiyeku.com)证实,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。若本文有侵犯到您的版权, 请你提供相关证明及申请并与我们联系(qiyeku # qq.com)或【在线投诉】,我们审核后将会尽快处理。
—— 相关资讯 ——