这三款新放大器的双向检测功能允许用一个电流检测电路测量正反电流,有助于设计人员缩减物料清单成本。新产品还适用于高低边两种连接配置,允许高低边共用相同型号的器件,从而简化库存管理工作。
三款新产品的电源电压均在2.7v-5.5v范围内,进一步提高了应用灵。宽输入电压容差允许新产品在电源电压下检测从-20v至70v的共模电压电流。新产品具有高增益带宽乘积和快速压摆率(tsc2010的两项参数分别为820khz和7.5v/μs),测量精度高。
三款新产品内部集成emi滤波器和2kv hbm(人体模型)的esd防护功能,器件抗扰能力强,可在-40°c至125°c的工业温度范围内工作。
这三款新产品还有配套的steval-aetkt1v2板,帮助设计人员快速启动使用一款器件的开发项目, 产品上市时间。tsc2010、tsc2011和tsc2012目前采用mini-so8和so8两种封装。
sram是静态(s指的static)ram,静态指的不需要刷新电路,数据不会丢失,sram速度非常快,是目前读写快的存储设备了。 dram是动态ram,动态指的每隔一段时间就要刷新一次数据,才能保存数据,速度也比sram慢,不过它还是比的rom都要快。 sdram是同步(s指的是synchronous)dram,同步是指内存工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准 ddr、ddr2、ddr3都属于sdram,ddr是double daterate的意思,三种指的是同一系列的三代,速度更快,容量更大,功耗更小,现在出了ddr4,也是同一系列 romL5970D RT9385BGQW MT6161AN/C WM8728EDS BC57E687BU KLM4G1FE3B-B001 TDA18252HN CY7C66113C-PVXC UBA2014P LF353DR SGM8545XN5/TR OPA445AU PTMA210152MV1 LT1013DDR LF353P TLV2711IDBVR LF347DR S25FL512SAGMFVG13 PCF8563T/5 NJM2740V-TE1 TLC277CP DA9053-3FHA LT6654AIS6-2.5#TRMPBFTR-ND DRV8833RTY