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这三款新放大器的双向检测功能允许用一个电流检测电路测量正反电流，有助于设计人员缩减物料清单成本。新产品还适用于高低边两种连接配置，允许高低边共用相同型号的器件，从而简化库存管理工作。
三款新产品的电源电压均在2.7v-5.5v范围内，进一步提高了应用灵。宽输入电压容差允许新产品在电源电压下检测从-20v至70v的共模电压电流。新产品具有高增益带宽乘积和快速压摆率(tsc2010的两项参数分别为820khz和7.5v/μs)，测量精度高。
三款新产品内部集成emi滤波器和2kv hbm(人体模型)的esd防护功能，器件抗扰能力强，可在-40°c至125°c的工业温度范围内工作。
这三款新产品还有配套的steval-aetkt1v2板，帮助设计人员快速启动使用一款器件的开发项目， 产品上市时间。tsc2010、tsc2011和tsc2012目前采用mini-so8和so8两种封装。
处理器（cpu）、绘图芯片（gpu）运算效能随摩尔定律而飞快进展，加上云端运算、网际网路行动化浪潮下，持续驱动动态存储器（dynamic ram；dram）的规格进化。从非同步的dip、edo dram，到迈向同步时脉操作的sdram开始，以及讯号上下缘触发的ddr/ddr2/ddr3/ddr4存储器，甚至导入20 与新型态的wide i/o介面以降低讯号脚位数与整体功耗。 处理器速度与云端运算持续驱动动态存储器规格的演变，从dip、edo、sdram到ddr/ddr2/ddr3/ddr4。samsung/micron/intel AD9353BCPZ-REEL LB1836ML-TLM-E PGA116AIPWR M81736FP AO4566 AON6560 ADBS-A320 SN74CBT3125PWR STF16N65M2 LM337LMX/NOPB 853S111BYILFT L3GD20HTR W25X40VNIG TLV71333PQDBVRQ1 TXS0102YZPR 88EM8183B2-SAE2C000TAL04 LP5912-2.8DRVR TL431IPK TLV62569DBVR BQ24123RHLR SD8585STR TPS562209DDCR TPS51200DRCT TPS54061QDRBTQ1 TPS22810DBVR
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