南通回收手机芯片内存颗粒H5PS1G63KFR-S6I
深圳市东域电子有限公司
25小时在线 158-8973同步7035 可微可电一、 pcb电路设计pcb电路设计完依赖电路板绘图软件,目大主流pcb设计软件是altium designer(包括protel98、99、99se等,这个是升级版)、pads、cadence allegro,占据市场的95 。 altium designer:澳大利亚altium公司产品,相对简单的电路板设计基本上都是用这个软件,一般以双面、四层电路板为主,这个软件上手容易,在学校应用相对广泛。 pads:以前又叫power pcb,美国mentor graphics公司产品,大部分消费类电子产品都用这个软件设计,像电视、电脑、手机、汽车等等,这个软件上手也比较容易。 cadence allegro:美国楷登电子产品,主要用于一些尺寸比较大,或者层数高的电路板设计,功能,但是上手比较难,现在你能随口说出来的几家通讯类企业都是用这个软件。比较的是,在pcb设计软件这一块,还没有一家企业有自主研发的产品,基本上所有企业使用的电路板设计软件,都逃不开这三家企业。pcb设计软件的国产替代之路还很远。随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏(macronix)在2006年提出multi tft(thin film transistor)的堆叠nand设计概念,同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器,2007年东芝发表bics,2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat,2010年旺宏发表vg tft,2011发表pnvg tft,同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会,旺宏公布以75 制程,tft be-sonos制程技术装置的vg(垂直闸) 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程,2013年进入36nm制程,2015年进入2xnm制程,制程进度落后其他大厂甚多。 三星(samsung)同样于2006年发表stacked nand,2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月,三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片,采用基于3d ctf(charge trap flash)技术和垂直堆叠单元结构,单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量,比目前20nm平面nand flash多两倍,性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者,v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟,从2013年 四季开始,陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。 SGM2036-3.3YN5G/TR SY6874DBC SY6288AAAC SY6282ACC SY6280AAAC SM8103ADC SY7065AQMC SYR827PKC SY8401ABC SY6702DFC SY7203DBC SY58873UFAC MP2340GJ-Z MP2480DN-LF-Z MP3202DJ-LF-Z MP4012DS-LF-Z MP6513GJ-Z SY8035DBC MP1475DJ-LF-Z MP1495SGJ-Z MP1655GG-Z MP1658GTF-Z MP172GJ-Z MP2233DJ-LF-Z MP2488DN-LF-Z MP1591DN-LF-Z MP2149GJ-Z MP2229GQ-Z MP2560DN-LF-Z MP3120DJ-LF-Z MP3423GG-Z MP3426DL-LF-Z MP6211DN-LF-Z SY6281AAC MA730GQ-Z
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