ASE140N04-ASEMI低压N沟道MOS管ASE140N04
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ASE140N04-ASEMI低压N沟道MOS管ASE140N04
型号：ASE140N04
品牌：ASEMI
封装：TO-220F
大漏源电流：140A
漏源击穿电压：40V
RDS（ON）Max：0.04Ω
引脚数量：3
芯片个数：
沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管
漏电流：ua
特性：N沟道MOS管、场效应管
工作温度：-55℃~175℃
备受欢迎的ASE140N04 MOS管
ASEMI品牌ASE140N04是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE140N04的大漏源电流140A，漏源击穿电压40V.
•细节体现差距
ASE140N04,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。
ASE140N04具体参数为：大漏源电流：140A，漏源击穿电压：40V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220F
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