25小时在线 158-8973同步7035 可微可电元件:工厂在加工时没改变原材料分子成分的产品可称为元件，元件属于不需电子元器件要能源的器件。它包括:电阻、电容、电感。(又称为被动 元件passive components) 电子的单向作用场性质在物理的范围内失效，因为物理的点电荷概念包含了成千上万的电子（负电）或质子（正电）。在物理中点电荷的电场是大量电子或离子的总体效应，是满足矢量叠加的矢量场。 4性质特征编辑电子块头小重量轻（比μ介子还轻205倍)，被归在亚原子粒子中的轻子类。轻子是物质被划分的作为基本粒子的一类。电子带有二分之一自旋，满足费米子的条件（按照费米-狄拉克统计）。电子所带电荷约为-1.6×10-19库仑，质量为9.10×10-31kg（0.51mev/c2）。通常被说为e-。与电子电性相反的粒子被称为正电子，它带有与电子相同的质量，自旋和等量的正电荷。电子在原子内做绕核运动， 越大距核运动的轨迹越远，有电子运动的空间叫电子层，层多可有2个电子。层多可以有8个， n层多可容纳2n2个电子，外层多容纳8个电子。后一层的电子数量决定物质的化学性质是否活泼，1、2、3电子为金属元素，4、5、6、7为非金属元素，8为稀有气体元素。物质的电子可以失去也可以得到，物质具有得电子的性质叫做氧化性，该物质为氧化剂；物质具有失电子的性质叫做还原性，该物质为还原剂。物质氧化性或还原性的强弱由得失电子难易决定，与得失电子多少无关。rom也有很多种，prom是可编程的rom，prom和eprom（可擦除可编程rom）两者区别是，prom是也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而eprom是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种eeprom是通过电子擦出，价格，写入时间很长，写入很慢。手机软件一般放在eeprom中，我们打电话，有些后拨打的号码，暂时是存在sram中的，不是马上写入通过记录（保存在eeprom中），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。 flash存储器又称闪存，它结合了rom和ram的长处，不仅具备电子可擦除可编程（eeprom）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（nvram的势） rom（eprom）作为它们的存储设备，然而近年来 flash代替了rom（eprom）在嵌入式系统中的，用作存储bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（u盘）。目前flash主要有两种nor flash和nadn flash。 3、flashMP1494SGJ-Z MP1496DJ-LF-Z MP1601GTF-Z MP1652GTF-Z MP2305DS-LF-Z MP2617BGL-Z SY8703ABC SY7301AADC OB3396AP SY7310AADC SY5018BFAC SY5830BABC SY5839ABC SY5867FAC MCP2551T-I/SN TJA1057GT/3 MCP2551T-I/SN TJA1042T/1J TJA1057GT/3 DPA424R-TL PCA82C251T/YM NRF52811-QCAA-R PN5321A3HN/C106 SYH407AAC PN5321A3HN/C106 APW8720BKAE-TRG M74HC4040RM13TR TJA1041T/CM MC74ACT125DR2G AD5694RBCPZ-RL7 TLV4112IDGNR DS2417P+TR MAX211IDWR STM32L151CBT6 STM32F030C8T6 STM32F207VCT6 STM32F051C8T6 STM32L052K8U6TR STM32F051C8T6 STM32P100R8SODTR STM32P100R8S0DTR STM32P10SODTR STM32P10S0DTR STM32F103R6H6 STM32L151R8H6 74VHC595MTCX YDA174-QZE2 TJA1042T/CM XC4VSX55-11FF1148I XC4VSX55-10FF1148I M25P64-VMF6TP AT24C64D-SSHM-T KMK7X000VM-B314 PIC18F25K80-I/SS HCS300-I/SN IRF7317TRPBF CM108B IRFB7537PBF ATTINY45-20SU LAN9514-JXZ MCP3201-BI/SN