25小时在线 158-8973同步7035 可微可电二、pcb制造pcb制造的技术水平和质量水平，对电路板的性、信号传整性有的影响。在pcb制造中，包括pcb制造商、软件供应商、材料供应商、设备供应商。
1、电路板制造供应商2018年pcb供应商的，现在有一些小的变动，但是也不太大，在pcb制造领域，我们国产替代的选择还是有很多。我们主要分析一下的供应商：
（1）深南电路pcb制造的企业，而且是国企，工艺技术能力行业，不管是电路板（5g、航天航空、工控、等），还是低端电路板（家用电器、汽车电子等等），都可以实现大批量生产，在ic封装基板制造领域也是国内当之无愧的（目前封装基板制造的就三家企业，深南电路、兴森快捷、珠海越亚）。
（2）兴森快捷
快捷样板的企业，产品涵盖低端到各个领域，工艺水平与深南电路有一定的差距，不过产品交付的速度在国内处于水平。
2、软件供应商随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  TPS7B4254QDDARQ1 TPS7A1601QDGNRQ1 TPS25944LRVCR MMA8453QR1 TJA1044GT/3Z TJA1057GT/3J TJA1042TK/3/1J TJA1029TK,118 TJA1048TK,118 TJA1051TK/3,118 AD8603AUJZ-REEL7 ADUM1100ARZ-RL7 ADM3251EARWZ-REEL PIC32MX795F512L-80I/PT PIC32MX695F512L-80I/PT TJA1046TKZ TJA1028TK/5V0/20/1 TJA1043TK/1Y MPVZ5004GW7U MCIMX6U6AVM10AD DRV8835DSSR CSD19536KTTT TPS7A3701DRVT PIC18LF47K40T-I/PT PIC32MX695F512LT-80I/PT MIC4422ZT