25小时在线 158-8973同步7035 可微可电 ATMEGA32A-AU
W25Q64JVSIQ
NUC029LAN
STM32F401RCT6
TPS54202DDCR
STM32F030RCT6
ATMEGA16A-AU
ATMEGA128A-AU
TPS3116D2DADR
另一种称为动态ram（dynamic ram/dram），dram保留数据的时间很短，速度也比sram慢，不过它还是比的rom都要快，但从价格上来说dram相比sram要便宜很多，计算机内存就是dram的。
dram
dram分为很多种，常见的主要有fpram/fastpage、edoram、sdram、ddr ram、rdram、sgram以及wram等，这里介绍其中的一种ddr ram。
ddr ram（date-rate ram）也称作ddr sdram，这种改进型的ram和sdram是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得多的内存，而且它有着成本势，事实上击败了intel的另外一种内存标准－rambus dram。在很多的显卡上，也配备了高速ddr ram来提高带宽，这可以大幅度提高3d加速卡的像素渲染能力。东芝（toshiba）以2009年开发的bics—3d nand flash技术，从2014年季起开始小量试产，目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路，东芝与新帝（sandisk）合资的日本三重县四日市晶圆厂，期工程扩建计划预计2014年q3完工，q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光（micron）、英特尔（intel）阵营，也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ，计划于2014年q2送样测试，快于年底量产。  由于3d nand flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更长时间，且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时，故初期3d nand flash芯片将以少量生产为主，对整个移动设备与储存市场上的替代效应，在明年底以前应该还看不到。  回收ROHM电池充电管理芯片回收ti德州仪器收音IC 回收MARVELL进口IC 回收芯成WIFI芯片回收芯成全新整盘芯片回收Marvell蓝牙IC 回收威世封装QFN进口芯片回收ncs信号放大器回收NXP稳压管理IC 回收idt手机存储芯片回收亚德诺WIFI芯片回收adi蓝牙芯片回收idesyn集成电路芯片回收MICRON/美光逻辑IC 回收丽晶微原装整盘IC 回收TOSHIBA蓝牙IC 回收kerost汽车电脑板芯片回收INFINEON触摸传感器芯片回收尚途sunto封装sot23-5封装芯片回收Vincotech发动机管理芯片回收亚德诺电源管理IC 回收艾瓦特进口IC 回收toshiba封装QFP144芯片回收PARADE谱瑞声卡芯片回收芯成计算机芯片回收toshiba电池充电管理芯片回收RENESAS驱动IC 回收HOLTEK合泰MCU电源IC