25小时在线 158-8973同步7035 可微可电电感在电路中常用“L”加数字说，如：L3说编号为3的电感。电路板上的电感器
电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。
  直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。
  电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。如：棕、黑、金、金说1uH（误差5  ）的电感。
电感的基本单位为：亨（H） 换算单位有：1H=103mH=106uH。
flash和eeprom的大区别是flash按扇区操作，eeprom则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，flash的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比eeprom低，因而适合用作程序存储器，eeprom则 的用作非易失的数据存储器。当然用flash做数据存储器也行，但操作比eeprom麻烦的多，所以更“人性化”的mcu设计会集成flash和eeprom两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有flash，早期可电擦写型mcu则都是eeprm结构，现在已基本上停产了。现在的单片机,ram主要是做运行时数据存储器,flash主要是程序存储器,eeprom主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据. 1、ram rom和ram指的都是半导体存储器，rom是read only memory的缩写，ram是random access memory的缩写。rom在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而ram通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的ram就是计算机的内存。 sram和dram区别ram有两大类：XTR115UA XTR116UA ISO124U OPA322AIDBVR TCA9555RTWR TRS3253EIRSMR INA240A1PWR INA240A2PWR ADS1112IDGSR ADS7953SRHBR DAC7611U TS3A27518ERTWR INA282AIDR DRV8832DGQR TL4242DRJR UC3710T UCC27712DR UCC27524ADR TRF7962ARHBR TRF7970ARHBR TRF7964ARHBR TPS54478RTER TPS74901RGWR OPA4197IDR INA821IDR