山东回收3PEAK思瑞浦霍尔元件
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当今的算法主要是软硬件算法两大路径:使用cpu来驱动算法,虽然部署简便,但由于cpu发展面临瓶颈,时延难以突破,因此缺乏市场竞争力,硬件算法方式需要开发商基于it系统进行设计和架构,虽然因一定程度解决时延问题具备较强的竞争力,但成本高且交付周期长,潜在风险大;而从软件算法转换成硬件方式,门槛则非常高。
如何困扰当今众多厂商面临的这些挑战、帮助客户无需硬件开发就可以达到微秒级的低时延要求?
赛灵思推出的 alveo smartnic sn1000加速卡就是这样一个开箱即用的加速算法解决方案。
2×100gb的alveo sn1000是业界硬件可组合式smartnic,符合数据 封装的尺寸需求,而功耗仅为75瓦。sn1000采用16核nxp arm soc构建,ultrascale+ fpga架构、arm的子系统以及可编程的viits networking等特性,可满足市场不断变化的需求。
由于预行了硬件加速,sn1000 smartnic稍加配置即可对远程存储、nvme或其他流量以及安和防火墙进行加速,实现了开箱即用、即插即用,同时维持相关性能不变。
sn1000 的另一个特性是,可以非常方便地移除预制某些功能,然后基于其统一软件平台vitis新打造的vitis networking,使用类似p4这样的语言对数据面进行编程,也可以使用c和c++的语言对于arm进行控制和流量的管理,满足客户自认为非常重要的应用领域。无论是配置还是加速,均可由赛灵思或客户来实现,亦可由客户的客户或 的软件和ip合作伙伴来实现。这体现了赛灵思所提供的的可编程的灵。

 

flash和eeprom的大区别是flash按扇区操作,eeprom则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,flash的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比eeprom低,因而适合用作程序存储器,eeprom则 的用作非易失的数据存储器。当然用flash做数据存储器也行,但操作比eeprom麻烦的多,所以更“人性化”的mcu设计会集成flash和eeprom两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有flash,早期可电擦写型mcu则都是eeprm结构,现在已基本上停产了。现在的单片机,ram主要是做运行时数据存储器,flash主要是程序存储器,eeprom主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据. 1、ram rom和ram指的都是半导体存储器,rom是read only memory的缩写,ram是random access memory的缩写。rom在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而ram通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的ram就是计算机的内存。 sram和dram区别ram有两大类:TJA1051TK/3,118 AD8603AUJZ-REEL7 ADUM1100ARZ-RL7 ADM3251EARWZ-REEL PIC32MX795F512L-80I/PT PIC32MX695F512L-80I/PT TJA1046TKZ TJA1028TK/5V0/20/1 TJA1043TK/1Y MPVZ5004GW7U MCIMX6U6AVM10AD DRV8835DSSR CSD19536KTTT TPS7A3701DRVT PIC18LF47K40T-I/PT PIC32MX695F512LT-80I/PT MIC4422ZT PIC32MX795F512LT-80I/PT CLF10060NIT-101M-D MPXV5010DP TBD62083AFNG(Z,EL) S9KEAZN64AMLH TJA1042TK/3,118 MIMX8MQ6DVAJZAB
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