25小时在线 158-8973同步7035 可微可电相信大家都知道，在芯片产业链共分为idm、foundry、fabless三种模式，其中fabless则指芯片设计厂商，只设计芯片不生产制造芯片产品，如华为、高通、联发科、苹果等，而foundry则指芯片代工厂商，只具备芯片生产制造能力，并不具备芯片设计能力，如台积电、中芯、华虹半导体等等，而实力强的则是idm芯片模式，具备了芯片设计、芯片制造、芯片封测等 能力，从设计到后生产制造部都能够自己搞定，比如intel、三星等，或许也是因为整个芯片产业链技术门槛较高，所以国内芯片厂商 的都只是fabless厂商，而idm芯片厂商则更少。
  而就在段时间，国内手机odm闻泰科技直接并购了安世半导体，安世半导体作为汽车领域的idm芯片，也是功率半导体企业，这也意味着闻泰科技是国内甚至是强的idm芯片，自己可以搞定芯片设计、芯片制造、芯片封测等 能力。
flash和eeprom的大区别是flash按扇区操作，eeprom则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，flash的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比eeprom低，因而适合用作程序存储器，eeprom则 的用作非易失的数据存储器。当然用flash做数据存储器也行，但操作比eeprom麻烦的多，所以更“人性化”的mcu设计会集成flash和eeprom两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有flash，早期可电擦写型mcu则都是eeprm结构，现在已基本上停产了。现在的单片机,ram主要是做运行时数据存储器,flash主要是程序存储器,eeprom主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据. 1、ram rom和ram指的都是半导体存储器，rom是read only memory的缩写，ram是random access memory的缩写。rom在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而ram通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的ram就是计算机的内存。 sram和dram区别ram有两大类：TLV74212PDQNR LMZ20501SILR OPA192IDBVR TLV70018DSET TLV73311PQDBVRQ1 TLV73315PQDBVRQ1 TPS259573DSGR TLV74212PDQNR LMZ20501SILR OPA192IDBVR TLV70018DSET TLV73311PQDBVRQ1 TLV73315PQDBVRQ1 TPS7B6925QDCYRQ1 SN74LVC1G175DCKR TPS2051BDBVR TPS65987DDHRSHR LMR16006YQ3DDCTQ1 TLV1701QDBVRQ1 SN74LVC2G14DCKR TPS3823-33DBVR LM3478QMM/NOPB SN3257QPWRQ1