苏州回收Toshiba东芝蓝牙芯片
深圳市东域电子有限公司
25小时在线 158-8973同步7035 可微可电罗姆集团与意法半导体就碳化硅(sic)晶圆长期供货事宜达成协议
半导体制造商罗姆和意法半导体(以下简称“st”),双方就碳化硅(以下简称“sic”)晶圆由罗姆集团旗下的sicrystal gmbh (以下简称“sicrystal”)供应事宜达成长期供货协议。在sic功率元器件快速发展及其需求高速增长的大背景下,双方达成超1.2亿美元的协议,由sicrystal(sic晶圆生产量欧洲)向st(面向众多电子设备提供半导体的性半导体制造商)供应的150mm sic晶圆。
2月小米发布gan充电器65w
小米在2月新品直播发布会上,发布了小米gan充电器type-c 65w,采用氮化,高支持65w疾速充电,搭配小米10 pro可实现50w快充,体积小巧便携。
台积电将与意法半导体合作,加速gan制程技术开发
台积电与意法半导体合作加速市场采用氮化产品。意法半导体预计今年晚些时候将交给客户。台积电与意法半导体将合作加速氮化(gallium nitride, gan)制程技术的开发,并将分离式与整合式氮化元件导入市场。透过此合作,意法半导体将采用台积公司的氮化制程技术来生产其氮化产品。
英飞凌新增650v产品系列,完备硅、碳化硅和氮化3种技术
英飞凌科技(infineon)持续扩展其方位的碳化硅(sic)产品组合,新增650v产品系列。英飞凌新发表的coolsic mosfet能满足广泛应用对于能源效率、功率密度和度不断提升的需求,包括:服务器、电信和工业smps、太阳能系统、能源储存和化成电池、ups、马达驱动以及电动车充电等。英飞凌电源管理与多元电子事业处高压转换部门协理steffen metzger说,推出这项产品后,英飞凌在600v/650v电源领域完备了硅、碳化硅和氮化(gan)型功率半导体产品组合。
ddr4较以往不同的是改采vddq的终端电阻设计,v- 目前计划中的传输速率进展到3,200mbps,比目前高速的ddr3-2133传输速率快了50 ,将来不排除直达4,266mbps;bank数也大幅增加到16个(x4/x8)或8个(x16/32),这使得采x8设计的单一ddr4存储器模组,容量就可达到16gb容量。 而ddr4运作电压仅1.2v,比ddr3的1.5v低了至少20 ,也比ddr3l的1.35v还低,更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v还要低,再加上ddr4一次支援 省电技术(deep power down),进入休眠模式时无须更新存储器,或仅直接更新dimm上的单一存储器颗粒,减少35 ~50 的待机功耗。 MAX5441BEUA SSM2167-1RMZ FAN5236QSCX RT9181CB AD5160BRJZ100 AD5171BRJZ100 AD5165BUJZ100 AD5235BRUZ25 AD5308ARUZ-REEL7 AD5280BRUZ20 ADP8860ACPZ RT9801BPE ADP3331ARTZ ADR381ARTZ ADL5315ACPZ EL7536IYZ-T7 MAX1879EUA+ MAX6138AEXR25+T LTM4600EV#PBF A3240ELHLT AD7740YRTZ AD7441BRTZ
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