泰州收购TI德州仪器库存尾料
25小时在线 158-8973同步7035 可微可电美国英特尔公司和艾亚实验室将teraphy硅基光学输入/输出芯粒集成到现场可编程门阵列中，将光信号传输元件封装至芯片内部，标志着封装内光互连技术取得突破性进展。集成方案是：将teraphy芯粒与现场可编程门阵列“接口数据总线”接口的24个通道相连接，利用“嵌入式多芯片互连桥接”技术将二者封装在一起，构建封装内集成光学元件的多芯片模块。与电互连相比，光互连带宽密度提高1000倍，功耗降低至1/10。该技术有望实现100太比特/秒的数据传输速率，大幅提升封装内芯片间的数据传输能力，满足装备大数据处理需求。
二、darpa三维系统芯片进入产业化阶段
2020年8月，darpa三维系统芯片开始从实验室成果转向产业化。产业化阶段，darpa将在天水公司200毫米晶圆碳基芯片生产线上，应用碳 管晶体管三维系统芯片制造工艺， 改进芯片品质，提升芯片良率，化芯片性能，提高逻辑功能密度。三维系统芯片集逻辑运算、数据存储功能于一身，可实现高带宽数据传输，提高计算性能，降低运行功耗，将大幅加速人工智能算法和计算，对美国巩固势意义重大。
三、美国开发出高灵敏芯片级激光陀螺仪
2020年3月，美国加州理工学院研发出高灵敏度芯片级激光陀螺仪，灵敏度比其他芯片级陀螺仪高数十至上百倍。该陀螺仪碟形布里渊谐振腔由---q值超过1亿的硅基二氧化硅制成，自由光谱谐振值1.808吉赫。测试表明，芯片级激光陀螺仪具有高灵敏、高集成性、高鲁棒性、强抗冲击性等特点，在微型、可穿戴设备及其他---平台上具有广阔应用前景。
四、美国开发出基于忆阻器阵列的三维计算电路
2020年5月，美空军研究实验室与马萨诸塞大---合研发出一种三维计算电路。其由八层忆阻器阵列构成，采用了新的电路架构设计，可直接实现 神经网络功能。八层忆阻器阵列由若干个彼此物理隔离的忆阻器行组构成，每个行组包含八层忆阻器，层与层呈阶梯式交错堆叠搭接，每个忆阻器仅与相邻少量忆阻器共用电 ，减少了相关干扰，大幅 了“潜在通路”效应，有利于实现大规模忆阻器阵列集成。该三维计算电路计算速度和能效大幅提升，为人工神经网络等计算技术，以及神经形态硬件设计提供了新的技术途径。
随着nand flash制程进步与线路宽度与间距的微缩，连带影响到抹写次数（p/e cycles）的缩减。slc存储器从3x 制程的100，000次p/e cycles、4个ecc bit到2x 制程降为60，000 p/e、ecc 24bit。mlc从早期5x 制程10，000 p/e、ecc 8bit，到2x/2y 制程时已降为3，000 p/e、24~40个ecc bit。 有厂商提出，eslc、islc的存储器解决方案，以运用既有的低成本的mlc存储器，在单一细胞电路单元使用slc读写技术（只储存单一位元的电荷值），抹写度提升到30，000次p/e，成本虽比mlc高，但远于slc，可应用在ipc／kiosk／pos系统、嵌入式系统、伺服器主机板以及薄型终端机等。 ADS1246IPWR TS5A4624DCKT TS5A4624DCKR TS5A3157DBVR TS5A3159ADBVT TS5A9411DCKT LMP8645HVMKE/NOPB INA168NA/3K TPS22944DCKR LM2664M6X/NOPB TPS22904YFPT TPS2559DRCR TPS22944DCKR LPC1112FHN33/102 LPC1343FHN33 FSEZ1317MY LMH6643MAX AD7541AKR HEF4013BP ADM213EARSZ LTC7510EUH NCP6336BFCCT1G
二、darpa三维系统芯片进入产业化阶段
2020年8月，darpa三维系统芯片开始从实验室成果转向产业化。产业化阶段，darpa将在天水公司200毫米晶圆碳基芯片生产线上，应用碳 管晶体管三维系统芯片制造工艺， 改进芯片品质，提升芯片良率，化芯片性能，提高逻辑功能密度。三维系统芯片集逻辑运算、数据存储功能于一身，可实现高带宽数据传输，提高计算性能，降低运行功耗，将大幅加速人工智能算法和计算，对美国巩固势意义重大。
三、美国开发出高灵敏芯片级激光陀螺仪
2020年3月，美国加州理工学院研发出高灵敏度芯片级激光陀螺仪，灵敏度比其他芯片级陀螺仪高数十至上百倍。该陀螺仪碟形布里渊谐振腔由---q值超过1亿的硅基二氧化硅制成，自由光谱谐振值1.808吉赫。测试表明，芯片级激光陀螺仪具有高灵敏、高集成性、高鲁棒性、强抗冲击性等特点，在微型、可穿戴设备及其他---平台上具有广阔应用前景。
四、美国开发出基于忆阻器阵列的三维计算电路
2020年5月，美空军研究实验室与马萨诸塞大---合研发出一种三维计算电路。其由八层忆阻器阵列构成，采用了新的电路架构设计，可直接实现 神经网络功能。八层忆阻器阵列由若干个彼此物理隔离的忆阻器行组构成，每个行组包含八层忆阻器，层与层呈阶梯式交错堆叠搭接，每个忆阻器仅与相邻少量忆阻器共用电 ，减少了相关干扰，大幅 了“潜在通路”效应，有利于实现大规模忆阻器阵列集成。该三维计算电路计算速度和能效大幅提升，为人工神经网络等计算技术，以及神经形态硬件设计提供了新的技术途径。
随着nand flash制程进步与线路宽度与间距的微缩，连带影响到抹写次数（p/e cycles）的缩减。slc存储器从3x 制程的100，000次p/e cycles、4个ecc bit到2x 制程降为60，000 p/e、ecc 24bit。mlc从早期5x 制程10，000 p/e、ecc 8bit，到2x/2y 制程时已降为3，000 p/e、24~40个ecc bit。 有厂商提出，eslc、islc的存储器解决方案，以运用既有的低成本的mlc存储器，在单一细胞电路单元使用slc读写技术（只储存单一位元的电荷值），抹写度提升到30，000次p/e，成本虽比mlc高，但远于slc，可应用在ipc／kiosk／pos系统、嵌入式系统、伺服器主机板以及薄型终端机等。 ADS1246IPWR TS5A4624DCKT TS5A4624DCKR TS5A3157DBVR TS5A3159ADBVT TS5A9411DCKT LMP8645HVMKE/NOPB INA168NA/3K TPS22944DCKR LM2664M6X/NOPB TPS22904YFPT TPS2559DRCR TPS22944DCKR LPC1112FHN33/102 LPC1343FHN33 FSEZ1317MY LMH6643MAX AD7541AKR HEF4013BP ADM213EARSZ LTC7510EUH NCP6336BFCCT1G
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