东莞回收NUVOTON新唐声卡芯片
25小时在线 158-8973同步7035 可微可电电阻是应用于各种电子设备的多的电阻类型,无论怎样安装,维修者都能方便的读出其阻值,便于检测和更换。但在实践中发现,有些电阻的排列顺序不甚分明,往往容易读错,在识别时,可运用如下技巧加以判断:
技巧1:先找标志误差的,从而排定顺序。常用的说电阻误差的颜色是:金、银、棕,尤其是金环和银环,一般绝少用做电阻的环,所以在电阻上只要有金环和银环,就可以基本认定这是电阻的末一环。
技巧2:棕是否是误差标志的判别。棕既常用做误差环,又常作为  数字环,且常常在环和末一环中同时出现,使人很难识别谁是环。在实践中,可以按照之间的间隔加以判别:比如对于一个五道的电阻而言,  五环和  四环之间的间隔比环和环之间的间隔要宽一些,据此可判定的排列顺序。
技巧3:在仅靠间距还无法判定顺序的情况下,还可以利用电阻的生产序列值来加以判别。比如有一个电阻的读序是:棕、黑、黑、黄、棕,其值为:100×10000=1MΩ误差为1  ,属于正常的电阻系列值,若是反顺序读:棕、黄、黑、黑、棕,其值为140×1Ω=140Ω,误差为1  。显然按照后一种排序所读出的电阻值,在电阻的生产系列中是没有的,故后一种顺序是不对的。
东芝(toshiba)以2009年开发的bics—3d nand flash技术,从2014年季起开始小量试产,目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路,东芝与新帝(sandisk)合资的日本三重县四日市晶圆厂,期工程扩建计划预计2014年q3完工,q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光(micron)、英特尔(intel)阵营,也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ,计划于2014年q2送样测试,快于年底量产。  由于3d nand flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升,要比以往2d平面nand flash需要更长时间,且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时,故初期3d nand flash芯片将以少量生产为主,对整个移动设备与储存市场上的替代效应,在明年底以前应该还看不到。  回收maximMOS管场效应管回收infineon电源监控IC 回收GENESIS起源微原装整盘IC 回收NXP计算机芯片回收NXP封装QFP144芯片回收芯成收音IC 回收ON收音IC 回收fsc仙童网口IC芯片回收丽晶微路由器交换器芯片回收飞利浦SOP封装IC 回收美满升压IC 回收Xilinx网卡芯片回收kerostMOS管回收adi升压IC 回收尚途sunto封装QFP144芯片回收瑞昱计算机芯片回收adiMCU电源IC 回收atheros隔离恒温电源IC 回收arvin触摸传感器芯片回收TOSHIBAADAS处理器芯片回收亿盟微集成电路芯片回收RENESAS微控制器芯片回收VISHAY电源管理IC 回收INTERSIL电源监控IC 回收MARVELL收音IC 回收松下传感器芯片
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