25小时在线 158-8973同步7035 可微可电把万用表的黑表笔（表内正 ）搭触二 管的正 ，，红表笔（表内负 ）搭触二 管的负 。若表针不摆到0值而是停在标度盘的中间，这时的阻值就是二 管的正向电阻，一般正向电阻越小越好。若正向电阻为0值，说明管芯短路损坏，若正向电阻接近无穷大值，说明管芯断路。短路和断路的管子都不能使用。
  2、反向特性测试
  把万且表的红表笔搭触二 管的正 ，黑表笔搭触二 管的负 ，若表针指在无穷大值或接近无穷大值，管子就是合格的。
二 管的应用
  1、整流二 管
  利用二 管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。
  2、开关元件
  二 管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二 管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。
  3、限幅元件
  二 管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度在一定范围内。
  4、继流二 管
  在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。
  5、检波二 管
  在收音机中起检波作用。
  6、变容二 管
  使用于电视机的中。
  
在一些非挥发性存储器如相变存储器（phase-change memory；pcm）、磁阻存储器（ resistive memory；m-ram）、电阻存储器（resistive memory；rram）等技术已蓄势待发、即将迈向商业量产门槛之际，ddr4将可能是末代的ddr存储器，届时电脑与软体结构将会出现 为剧烈的变动。  nand flash逼近制程物理以提升容量密度  以浮闸式（floating gate）半导体电路所设计的nand flash非挥发性存储器，随着flash制程技术不断进化、单位容量成本不断下降的情况下，已经在智慧手机、嵌入式装置与工控应用上大量普及。  TLV73328PQDBVRQ1 SN74LVC1G38DCKR TPS3831G18DQNR TPS70930DBVR TPS65145PWPR TPS630702RNMR TPS62822DLCT TPS54428DDAR TPS259573DSGT TLV76733DRVR TLV75733PDBVR TLV431BQDBVT TL431IPK LMR14030SQDPRTQ1 TPS62136RGXT TPS2051BDR TL431ACDBVR LMR14030SQDPRRQ1 BQ25100YFPR TPS2069CDBVR TLV62084DSGR TL432BQDBZR LMV431AIM5X/NOPB SN74LVC1G125DCKR SN74LVC1G07DCKR SN74LVC1G08DBVR SN74LVC2G14DCKR SN74LVC2G04DCKR SN74AVC4T245RSVR SN74AUP2G07DCKR SN74AHC1G09DCKR SN74LVC1G125DCKR SN74AXC2T245RSWR SN74AUP2G08DCUR SN74AHC1G32DCKR SN74AHC1G08QDBVRQ1 SN74AHC1G00DCKR TXB0102DCUT SN74LVC1G08DBVR SN74LVC1G06DRYR SN74AXC8T245QPWRQ1 TXS0102DQMR SN74LVC2G34DCKR LM2904QDRQ1 LMV358IDGKR TL082CD TLV2372IDGKR LMP8645HVMK/NOPB TS3A226AEYFFR TLV6002IDR TLV6001QDCKRQ1 TLV342SIRUGR LM321LVIDBVR OPA2376QDGKRQ1