25小时在线 158-8973同步7035 可微可电

it之家获悉，小米卢伟冰此前也说，目前智能手机的芯片是 度短缺的。高通即将上任的 ceo cristiano amon 说，目前芯片供大于求的状况原因之一的美国对华为的，导致手机厂商不得不选择高通等公司的芯片。
除了手机 soc 这种高附加值芯片，目前电阻、电容、二 管等基础元器件也面临着不同程度的涨价，进一步提高了厂商的压力。

 

在一些非挥发性存储器如相变存储器（phase-change memory；pcm）、磁阻存储器（ resistive memory；m-ram）、电阻存储器（resistive memory；rram）等技术已蓄势待发、即将迈向商业量产门槛之际，ddr4将可能是末代的ddr存储器，届时电脑与软体结构将会出现 为剧烈的变动。  nand flash逼近制程物理以提升容量密度  以浮闸式（floating gate）半导体电路所设计的nand flash非挥发性存储器，随着flash制程技术不断进化、单位容量成本不断下降的情况下，已经在智慧手机、嵌入式装置与工控应用上大量普及。  STM32F103VET6 TEF6686AHN/V205 MCIMX6Y2CVM08AB LPC822M101JHI33E 74AVC8T245BQ KSZ8863RLLI KSZ8081MNXIA-TR MCP9700AT-E/LT PIC16F1508-I/SS ATMEGA1284P-AU ICE3PCS01G IRFP4668PBF IR21844STRPBF RT9701PB UT4407G-S08-R UT4411G-S08-R NTR4502PT3G AD8617ARMZ-REEL AD8604ARZ-REEL7 AD8554ARZ-REEL7 AON6370 MCP6292T-E/SN MCP6282T-E/SN MCP6242T-E/SN MCP6232T-E/SN MCP617T-I/SN MCP607T-I/SN MCP6072T-E/SN MCP606T-I/OT RT9193-33GB RT9179PB RT9179GB RT9166-33GVL RT9161A-33GV RT9161-50GV RT9013-33GB RT9013-18GB AO4440 AOD200