25小时在线 158-8973同步7035 可微可电 1）1001说的是1010^2=1k，1002说的是1010^3=10k，1502说的是1510^3=15k，以此类推， 2）除了用四位数说±1 精度的贴片电阻以外，还有用划线的方法，来说±1 精度的，比如：103说的就是10k ±1 精度的贴片电阻，562说的就是5.6k ±1 精度的贴片电阻那么，上面是丝印的一种直接读数的方法，除此之外，还有另一种丝印代码的方法：e-96代码的丝印标识方法，它的精度也是±1 ，关于这种丝印的代码标识，它有自己的一套计算公式，大家可以去查表，不用刻意的去记住它。这样的标识方法也有它的相关标准的，作为电子来说，只需要认识它了解它即可。因为知识是学不完的，不需知道怎么去研究具体怎么来的，那是厂家、标准会去思考的事情。封装、精度与价格之间的关系对于电子来说，一定要知道元器件的大概价格，如果你设计出来的产品成本，即使再秀再的板子，那么在市场上没有竞争力，也是没有实际价值的。那么，可能有的毕业的，和采购之间相互推诿，认为这是采购的事，价格的事由采购来谈。其实，这中间的责任没有那么的明确的，有时候需要相互沟通、相互协调，等你的产品进入批量生产的时候，采购部有他们自己的指标，会和供应商沟通来压缩元器件的价格和交期的。那么一般情况下，封装越大，价格越高。这其中还有特殊的合金贴片电阻，也会根据材料的不同，价格也有所不同，合金贴片电阻相对普通的碳膜贴片电阻贵一些。还有就是，一般情况下，精度越高，价格越高。还需要说明的是，在特殊情况下，即使±5 精度的阻值，它的价格也可能比±1 精度的电阻价格高，这是因为该电阻阻值不是标称值。ddr4较以往不同的是改采vddq的终端电阻设计，v- 目前计划中的传输速率进展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133传输速率快了50 ，将来不排除直达4，266mbps；bank数也大幅增加到16个（x4/x8）或8个（x16/32），这使得采x8设计的单一ddr4存储器模组，容量就可达到16gb容量。  而ddr4运作电压仅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v还低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v还要低，再加上ddr4一次支援 省电技术（deep power down），进入休眠模式时无须更新存储器，或仅直接更新dimm上的单一存储器颗粒，减少35 ~50 的待机功耗。  TS391RILT TSV734IPT TSX3702IST VN340SPTR-E VN5025AJTR-E VN5E050J-E VN800PSTR-E VND5025AK-E VND5E025AKTR-E VND600SPTR-E VNP35NV04-E VNQ5E160AKTR-E ULN2069B ULN2074B VIPER06HN VIPER26LN VIPER35LD VN340SP-33-E VND7NV04-E VNQ600PTR-E X-NUCLEO-IKA01A1 SMC30J33CA VN808CM-32-E VN808CM-E VN820SP-E