25小时在线 158-8973同步7035 可微可电司留启援引电子元器件行业协会的数据介绍，我国的电子元器件电容器用量占50 以上，但国内生产的电容器数量只占产量的7 ，销售收入额才占的3 。 司留启认为，电子元器件行业属于技术密集型和资金密集型产业，企业作为主体，需要让各种资源，如技术投入、资本资源、人才资源、政策等形成合力，注入企业中去，尽快壮大电子元器件及配套企业的规模，这样才能提升行业企业的竞争实力，才有希望突破“卡脖子”的问题。 提及资本市场和电子元器件产业的对接问题，司留启建议是否可以建立，按照相关产业发展规划，先支持电子元器件行业及其配套企业的ipo等，推动企业通过直接或再，借助资本市场的力量 成长的速度，尽快形成规模。 司留启还建议要加大顶层设计和行业的整体规划，以地培育电子元器件产业安、完善的供应链体系。要国一盘棋，有统一的布局，由牵头，然后引导企业和行业协会充分参与，区域之间实现良性竞争合作。电子元器件及其配套产业是非常细分的，不似大产业那般容易构建完整性的产业链、供应链，因此才更需要有统一布局的政策支撑，否则各个区域只盯着自己，很难在电子元器件产业链供应链方面打通国内的大循环。 此外，司留启还建议“建议高校能增设电子元器件和材料的相关并扩大招生规模，为产业的发展提供人才支撑。”电子元器件和材料是需要密切配合的，因此高校培养的方向也应是既懂工艺又懂材料的复合型人才东芝（toshiba）以2009年开发的bics—3d nand flash技术，从2014年季起开始小量试产，目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路，东芝与新帝（sandisk）合资的日本三重县四日市晶圆厂，期工程扩建计划预计2014年q3完工，q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光（micron）、英特尔（intel）阵营，也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ，计划于2014年q2送样测试，快于年底量产。  由于3d nand flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更长时间，且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时，故初期3d nand flash芯片将以少量生产为主，对整个移动设备与储存市场上的替代效应，在明年底以前应该还看不到。  L5970D RT9385BGQW MT6161AN/C WM8728EDS BC57E687BU KLM4G1FE3B-B001 TDA18252HN CY7C66113C-PVXC UBA2014P LF353DR SGM8545XN5/TR OPA445AU PTMA210152MV1 LT1013DDR LF353P TLV2711IDBVR LF347DR S25FL512SAGMFVG13 PCF8563T/5 NJM2740V-TE1 TLC277CP DA9053-3FHA LT6654AIS6-2.5#TRMPBFTR-ND DRV8833RTY