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目前市面上主流的pcb辅助制造软件有3种，genesis、incam、cam350，不过目前cam350基本上已经慢慢被淘汰。整个行业的软件被的一家公司orbotech（奥宝）垄断。
orbotech（奥宝）：有genesis、incam、inplan等，基本上国内的pcb制造商都是用的奥宝公司的软件国内也有一些小公司参考genesis软件开发了功能类似的软件，但是都仅仅用于电路分析，没有其余修改化的功能，且没有经过市场的大量验证，无法推广使用。
3、材料供应商（1）板材/铜箔/半固化片
板材/铜箔/半固化片：板材/铜箔是承载电路的基础材料，半固化片是多层电路板必不可少的一种材料，主要起粘合作用。
这三种材料，目前普通的材料供应商有建滔（港商，外资控股）、生益（）、联茂（台湾）、南亚（台湾）等，而涉及高频高速材料，常用的就是罗杰斯（美国）、松下（日本）的板材，也有用一些生益的高频高速板材，但是都只能用在高频高速性能要求不高的电路板上。

 

随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  ADS1246IPWR TS5A4624DCKT TS5A4624DCKR TS5A3157DBVR TS5A3159ADBVT TS5A9411DCKT LMP8645HVMKE/NOPB INA168NA/3K TPS22944DCKR LM2664M6X/NOPB TPS22904YFPT TPS2559DRCR TPS22944DCKR LPC1112FHN33/102 LPC1343FHN33 FSEZ1317MY LMH6643MAX AD7541AKR HEF4013BP ADM213EARSZ LTC7510EUH NCP6336BFCCT1G