25小时在线 15889737035 可微可电 美国英特尔公司和艾亚实验室将teraphy硅基光学输入/输出芯粒集成到现场可编程门阵列中，将光信号传输元件封装至芯片内部，标志着封装内光互连技术取得突破性进展。集成方案是：将teraphy芯粒与现场可编程门阵列“接口数据总线”接口的24个通道相连接，利用“嵌入式多芯片互连桥接”技术将二者封装在一起，构建封装内集成光学元件的多芯片模块。与电互连相比，光互连带宽密度提高1000倍，功耗降低至1/10。该技术有望实现100太比特/秒的数据传输速率，大幅提升封装内芯片间的数据传输能力，满足装备大数据处理需求。
二、darpa三维系统芯片进入产业化阶段
2020年8月，darpa三维系统芯片开始从实验室成果转向产业化。产业化阶段，darpa将在天水公司200毫米晶圆碳基芯片生产线上，应用碳 管晶体管三维系统芯片制造工艺， 改进芯片品质，提升芯片良率，化芯片性能，提高逻辑功能密度。三维系统芯片集逻辑运算、数据存储功能于一身，可实现高带宽数据传输，提高计算性能，降低运行功耗，将大幅加速人工智能算法和计算，对美国巩固势意义重大。
三、美国开发出高灵敏芯片级激光陀螺仪
2020年3月，美国加州理工学院研发出高灵敏度芯片级激光陀螺仪，灵敏度比其他芯片级陀螺仪高数十至上百倍。该陀螺仪碟形布里渊谐振腔由---q值超过1亿的硅基二氧化硅制成，自由光谱谐振值1.808吉赫。测试表明，芯片级激光陀螺仪具有高灵敏、高集成性、高鲁棒性、强抗冲击性等特点，在微型、可穿戴设备及其他---平台上具有广阔应用前景。
四、美国开发出基于忆阻器阵列的三维计算电路
2020年5月，美空军研究实验室与马萨诸塞大---合研发出一种三维计算电路。其由八层忆阻器阵列构成，采用了新的电路架构设计，可直接实现 神经网络功能。八层忆阻器阵列由若干个彼此物理隔离的忆阻器行组构成，每个行组包含八层忆阻器，层与层呈阶梯式交错堆叠搭接，每个忆阻器仅与相邻少量忆阻器共用电 ，减少了相关干扰，大幅 了“潜在通路”效应，有利于实现大规模忆阻器阵列集成。该三维计算电路计算速度和能效大幅提升，为人工神经网络等计算技术，以及神经形态硬件设计提供了新的技术途径。
sram是静态（s指的static）ram，静态指的不需要刷新电路，数据不会丢失，sram速度非常快，是目前读写快的存储设备了。 dram是动态ram，动态指的每隔一段时间就要刷新一次数据，才能保存数据，速度也比sram慢，不过它还是比的rom都要快。 sdram是同步（s指的是synchronous）dram，同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准 ddr、ddr2、ddr3都属于sdram，ddr是double daterate的意思，三种指的是同一系列的三代，速度更快，容量更大，功耗更小，现在出了ddr4，也是同一系列 romTPS7B4254QDDARQ1 TPS7A1601QDGNRQ1 TPS25944LRVCR MMA8453QR1 TJA1044GT/3Z TJA1057GT/3J TJA1042TK/3/1J TJA1029TK,118 TJA1048TK,118 TJA1051TK/3,118 AD8603AUJZ-REEL7 ADUM1100ARZ-RL7 ADM3251EARWZ-REEL PIC32MX795F512L-80I/PT PIC32MX695F512L-80I/PT TJA1046TKZ TJA1028TK/5V0/20/1 TJA1043TK/1Y MPVZ5004GW7U MCIMX6U6AVM10AD DRV8835DSSR CSD19536KTTT TPS7A3701DRVT PIC18LF47K40T-I/PT PIC32MX695F512LT-80I/PT MIC4422ZT