25小时在线 15889737035 可微可电

这三款新放大器的双向检测功能允许用一个电流检测电路测量正反电流，有助于设计人员缩减物料清单成本。新产品还适用于高低边两种连接配置，允许高低边共用相同型号的器件，从而简化库存管理工作。
三款新产品的电源电压均在2.7v-5.5v范围内，进一步提高了应用灵。宽输入电压容差允许新产品在电源电压下检测从-20v至70v的共模电压电流。新产品具有高增益带宽乘积和快速压摆率(tsc2010的两项参数分别为820khz和7.5v/μs)，测量精度高。
三款新产品内部集成emi滤波器和2kv hbm(人体模型)的esd防护功能，器件抗扰能力强，可在-40°c至125°c的工业温度范围内工作。
这三款新产品还有配套的steval-aetkt1v2板，帮助设计人员快速启动使用一款器件的开发项目， 产品上市时间。tsc2010、tsc2011和tsc2012目前采用mini-so8和so8两种封装。

 

东芝（toshiba）以2009年开发的bics—3d nand flash技术，从2014年季起开始小量试产，目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路，东芝与新帝（sandisk）合资的日本三重县四日市晶圆厂，期工程扩建计划预计2014年q3完工，q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光（micron）、英特尔（intel）阵营，也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ，计划于2014年q2送样测试，快于年底量产。  由于3d nand flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更长时间，且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时，故初期3d nand flash芯片将以少量生产为主，对整个移动设备与储存市场上的替代效应，在明年底以前应该还看不到。  回收芯成封装sot23-5封装芯片回收HOLTEK合泰WIFI芯片回收矽力杰稳压管理IC 回收尚途sunto网口IC芯片回收鑫华微创芯片回收CJ长电信号放大器回收SAMSUNG封装QFP144芯片回收韦克威WIFI芯片回收VincotechSOP封装IC 回收infineon蓝牙芯片回收silergy开关电源IC 回收iwatte/dialogADAS处理器芯片回收iwatte/dialog收音IC 回收威世蓝牙芯片回收丽晶微隔离恒温电源IC 回收intel逻辑IC 回收凌特集成电路芯片回收鑫华微创电池充电管理芯片回收松下进口IC 回收INFINEON路由器交换器芯片回收toshibaMOS管回收Xilinx驱动IC 回收美满进口IC 回收intelWIFI芯片回收toshiba声卡芯片回收海旭发动机管理芯片回收INTERSIL进口芯片回收intelADAS处理器芯片回收VISHAYSOP封装IC 回收ncs路由器交换器芯片回收Marvell音频IC 回收idesyn封装QFP芯片回收亿盟微封装SOP20芯片回收toshibaWIFI芯片