25小时在线 15889737035 可微可电 2021年3月2日为了 g3-plc hybrid连接技术在智能电网和物联网设备中的应用，意法半导体发布了st8500可编程电力线通信（plc）调制解调器芯片组开发 系统。该 系统包括可在868mhz和915mhz免许可无线电频段内使用的板以及固件和技术文档，帮助用户快速开发测试符合g3-plchybrid业界plc和rf双连接标准的智能节点。 st8500芯片组支持g3-plc hybrid通信标准，让智能电表、环境检测器、照明控制器、工业传感器等设备能够自主选择电力线或无线联网，并动态更改连接，设备始终有的连接通道。 1611847e-7dd9-11eb-8b86-1 该芯片组于2019年一次推出，整合 st8500协议控制器系统芯片(soc)与stld1电力线通信（plc）线路驱动器和s2-lp sub-ghz射频收发器，其中，意法半导体的g3-plc hybrid固件运行在协议控制器上。该芯片组让设备可以向下兼容连接g3-plc网络。 意法半导体的混合网络协议栈基于g3-plc、ieee 802.15.4、6lowpan和ipv6开放标准。通过在物理（phy）和数据链路层上嵌入rf mesh支持功能，st8500在智能节点与数据收集器之间整合了电力线和无线mesh两大通信连接的技术势。与简单的点对点网络连接不同，混合mesh网络可以实现大规模节点互连，提高网络连接的性，加强网络连接容错性，延长通信距离。这两个新的硬件开发套件可处理plc和rf连接以及应用任务。evlkst8500gh868套件工作在欧盟推荐的868mhz无线电频段，而evlkst8500gh915套件用于美洲和亚洲使用的915mhz无线电频段。每个套件均随附stsw-st8500gh软件框架和文档。 这两款套件可与stm32 nucleo开发板配套使用，扩展应用处理能力，兼容意法半导体的各种型号的x-nucleo扩展板，方便增加 功能，为开发各种智能电网和iot应用提供一个开发平台。随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  MIC2211-AAYML UPD75P116CW UCC27201ADRMR SKY77704-14 SR528 TNETD5800GND200 TPS51120RHBR TPS65820RSHR UPD64015AGM-UEU UPD77P20D TC220C800TB-502(G) TY6701111184KC K4H511638F-LCB3 HD64F3062F20 IDT71024S15Y M54523FP TC7WZ32FK TPS79318DBVRQ1 SI3215-C-FM LT1761ES5-1.8 MC100LVEL11DTR2 PESD3V3L5UF NC7SZ02M5X NC7SZ05M5X BQ24070RHLR