青岛回收PANASONIC松下倒闭工厂库存清单
25小时在线 15889737035 可微可电 1)1001说的是1010^2=1k,1002说的是1010^3=10k,1502说的是1510^3=15k,以此类推, 2)除了用四位数说±1 精度的贴片电阻以外,还有用划线的方法,来说±1 精度的,比如:103说的就是10k ±1 精度的贴片电阻,562说的就是5.6k ±1 精度的贴片电阻那么,上面是丝印的一种直接读数的方法,除此之外,还有另一种丝印代码的方法:e-96代码的丝印标识方法,它的精度也是±1 ,关于这种丝印的代码标识,它有自己的一套计算公式,大家可以去查表,不用刻意的去记住它。这样的标识方法也有它的相关标准的,作为电子来说,只需要认识它了解它即可。因为知识是学不完的,不需知道怎么去研究具体怎么来的,那是厂家、标准会去思考的事情。封装、精度与价格之间的关系对于电子来说,一定要知道元器件的大概价格,如果你设计出来的产品成本,即使再秀再的板子,那么在市场上没有竞争力,也是没有实际价值的。那么,可能有的毕业的,和采购之间相互推诿,认为这是采购的事,价格的事由采购来谈。其实,这中间的责任没有那么的明确的,有时候需要相互沟通、相互协调,等你的产品进入批量生产的时候,采购部有他们自己的指标,会和供应商沟通来压缩元器件的价格和交期的。那么一般情况下,封装越大,价格越高。这其中还有特殊的合金贴片电阻,也会根据材料的不同,价格也有所不同,合金贴片电阻相对普通的碳膜贴片电阻贵一些。还有就是,一般情况下,精度越高,价格越高。还需要说明的是,在特殊情况下,即使±5 精度的阻值,它的价格也可能比±1 精度的电阻价格高,这是因为该电阻阻值不是标称值。随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏(macronix)在2006年提出multi tft(thin film transistor)的堆叠nand设计概念,同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器,2007年东芝发表bics,2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat,2010年旺宏发表vg tft,2011发表pnvg tft,同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会,旺宏公布以75 制程,tft be-sonos制程技术装置的vg(垂直闸) 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程,2013年进入36nm制程,2015年进入2xnm制程,制程进度落后其他大厂甚多。  三星(samsung)同样于2006年发表stacked nand,2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月,三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片,采用基于3d ctf(charge trap flash)技术和垂直堆叠单元结构,单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量,比目前20nm平面nand flash多两倍,性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者,v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟,从2013年 四季开始,陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  ULN2004D1013TR M95M01-RMN6TP LMV358IDT LM2903PT LM217MDT-TR LD3985M33R LD1086D2M33TR BAR43SFILM TDA7377 STM32F051K8T6TR STM32F103ZET6 STM32L100R8T6ATR STM32F437ZIT7 STM32F446VET6TR STM32F446ZCT6 STM32F446ZET6 STM32F722IEK6 STM32F723IET6 STM32F7308-DK STM32F745VGH6 STM32F745ZGT6 STM32F746IGT6
郑重声明:资讯 【青岛回收PANASONIC松下倒闭工厂库存清单】由 深圳市东域电子有限公司 发布,版权归原作者及其所在单位,其原创性以及文中陈述文字和内容未经(企业库qiyeku.com)证实,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。若本文有侵犯到您的版权, 请你提供相关证明及申请并与我们联系(qiyeku # qq.com)或【在线投诉】,我们审核后将会尽快处理。
—— 相关资讯 ——