回收CJ长电封装QFP芯片 181+2470一起1558 微芯同号  ddr4较以往不同的是改采vddq的终端电阻设计，v- 目前计划中的传输速率进展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133传输速率快了50 ，将来不排除直达4，266mbps；bank数也大幅增加到16个（x4/x8）或8个（x16/32），这使得采x8设计的单一ddr4存储器模组，容量就可达到16gb容量。
  而ddr4运作电压仅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v还低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v还要低，再加上ddr4一次支援 省电技术（deep power down），进入休眠模式时无须更新存储器，或仅直接更新dimm上的单一存储器颗粒，减少35 ~50 的待机功耗。
  将来迈入20 制程时，会导入3d立体堆叠加矽钻孔（3d stacks+tsv）封装技术，以及针对绘图芯片、移动设备提出低脚位数的wide i/o，来提升dram存储器单位容量与频宽。
  英特尔将分别把ddr4规格导入伺服器／工作站平台，以及桌上型电脑平台（high-end desktop；hedt）。前者是伺服器处理器xeon e5-2600处理器（代号haswell-ep），搭配的ddr4存储器为2，133mbps（ddr4-2133）；后者则是预定 三季推出的8intel core i7 extreme edition处理器，同样搭配ddr4-2133存储器，以及支援14组usb 3.0、10组sata6gbps的x99芯片组，成为2014 4季至2015年上半年英特尔的桌上型电脑平台组合。
  而超微（amd）下一代apu（代号carrizo）已至2015年登场，但其存储器支援性仍停留在ddr3。至于移动设备部份，安谋（arm）针对伺服器市场打造的64位元cortex-a57处理器，已预留对ddr4存储器支援，而 三方ip供应商也提供了相关的ddr4 phy ip。
  三星于2013年底量产20 制程的4gb存储器颗粒，将32gb的存储器推向伺服器市场；2014年1月推出移动设备用的低功耗ddr4（lp-ddr4）。sk海力士在2014年4月借助矽钻孔（tsv）技术，开发出单一ddr4芯片外观、容量达128gb。市场预料ddr4将与ddr3（ddr3l、lp-ddr3）等共存一段时间，预计到2016年才会ddr3而成为市场主流。