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      同步 -1558  ddr4以前瞻性的高传输速率、v- 低功耗与更大记忆容量，在2014年下半将导入英特尔工作站／伺服器以及桌上型电脑平台，并与lp-ddr3存储器将同时存在一段时间；至于nand flash快闪存储器也跨入1x 制程，mlc将以islc/eslc自砍容量一半的方式，提升可抹写次数（program erase；p/e）来抢占要求耐受度的军方与工控市场，而c/p值高的tlc从随碟、记忆卡的应用导向低端ssd…
  ddr4伺服器先行 2016ddr3成为主流
  处理器（cpu）、绘图芯片（gpu）运算效能随摩尔定律而飞快进展，加上云端运算、网际网路行动化浪潮下，持续驱动动态存储器（dynamic ram；dram）的规格进化。从非同步的dip、edo dram，到迈向同步时脉操作的sdram开始，以及讯号上下缘触发的ddr/ddr2/ddr3/ddr4存储器，甚至导入20 与新型态的wide i/o介面以降低讯号脚位数与整体功耗。
  处理器速度与云端运算持续驱动动态存储器规格的演变，从dip、edo、sdram到ddr/ddr2/ddr3/ddr4。samsung/micron/intel

 ddr4较以往不同的是改采vddq的终端电阻设计，v- 目前计划中的传输速率进展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133传输速率快了50 ，将来不排除直达4，266mbps；bank数也大幅增加到16个（x4/x8）或8个（x16/32），这使得采x8设计的单一ddr4存储器模组，容量就可达到16gb容量。
  而ddr4运作电压仅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v还低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v还要低，再加上ddr4一次支援 省电技术（deep power down），进入休眠模式时无须更新存储器，或仅直接更新dimm上的单一存储器颗粒，减少35 ~50 的待机功耗。
  将来迈入20 制程时，会导入3d立体堆叠加矽钻孔（3d stacks+tsv）封装技术，以及针对绘图芯片、移动设备提出低脚位数的wide i/o，来提升dram存储器单位容量与频宽。
  英特尔将分别把ddr4规格导入伺服器／工作站平台，以及桌上型电脑平台（high-end desktop；hedt）。前者是伺服器处理器xeon e5-2600处理器（代号haswell-ep），搭配的ddr4存储器为2，133mbps（ddr4-2133）；后者则是预定 三季推出的8intel core i7 extreme edition处理器，同样搭配ddr4-2133存储器，以及支援14组usb 3.0、10组sata6gbps的x99芯片组，成为2014 4季至2015年上半年英特尔的桌上型电脑平台组合。
  而超微（amd）下一代apu（代号carrizo）已至2015年登场，但其存储器支援性仍停留在ddr3。至于移动设备部份，安谋（arm）针对伺服器市场打造的64位元cortex-a57处理器，已预留对ddr4存储器支援，而 三方ip供应商也提供了相关的ddr4 phy ip。
  三星于2013年底量产20 制程的4gb存储器颗粒，将32gb的存储器推向伺服器市场；2014年1月推出移动设备用的低功耗ddr4（lp-ddr4）。sk海力士在2014年4月借助矽钻孔（tsv）技术，开发出单一ddr4芯片外观、容量达128gb。市场预料ddr4将与ddr3（ddr3l、lp-ddr3）等共存一段时间，预计到2016年才会ddr3而成为市场主流。

随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。
  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。
  东芝（toshiba）以2009年开发的bics—3d nand flash技术，从2014年季起开始小量试产，目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路，东芝与新帝（sandisk）合资的日本三重县四日市晶圆厂，期工程扩建计划预计2014年q3完工，q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光（micron）、英特尔（intel）阵营，也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ，计划于2014年q2送样测试，快于年底量产。
  由于3d nand flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更长时间，且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时，故初期3d nand flash芯片将以少量生产为主，对整个移动设备与储存市场上的替代效应，在明年底以前应该还看不到。
  移动设备的快闪存储器容量、速率进展
  移动设备所需要的gb储存容量，据估计每部手机搭配的nand flash容量，将从2012年5.5gb增加到2015年的25.1gb；每部平板电脑搭配nand flash容量，从28.7gb增加到2015年的96.1gb。
  emmc（embedded multimedia card）是jedec协的储存媒体规范，其藉由将mmc controller跟nand flash封装成一颗芯片的方式，移动设备无须顾虑着nand flash制程与规格的改变，与新世代nand flash搭配的快闪存储器控制芯片与韧体的搭配，进而简化体积与电路设计。2013年有4.5亿部移动设备均使用emmc。
  而universal flash storage（ufs）将以往emmc安、低功耗、小尺寸封装的应用， 目前ssd所使用到的高速串列介面技术，目前ufs 1.1规格传输速率达到3gbps，未来ufs 2.0将可进一步达到6gbps。因ufs跟既有的emmc介面迥然不同也无法相容，相关产业供应链尚未齐，整个产业 尚未建立，ufs产品预估2014年才有小量产品出现在市面上，且因成本因素会瞄准在市场，ufs与emmc两者届时会并存在市场上一阵子。