Al-I(10~2)-nGaAs势垒二极管中载流子的输运
| 【中文篇名】 | Al-I(10~2)-nGaAs势垒二极管中载流子的输运 |
| 【英文篇名】 | CARRIER TRANSPORT IN METAL-THIN INSULATOR n GaAs BARRIER DIODES |
| 【作者】 | 周勉; 王渭源; |
| 【英文作者】 | ZHOU MIAN WANG WEI-YUAN （Shanghai Institute of Metallurgy; Academia Sinica）; Department of Applied Physics; Shanghai Jiao-Tong University; |
| 【作者单位】 | 中国科学院上海冶金研究所; 上海交通大学应用物理系教师; |
| 【文献出处】 | 物理学报 , Acta Physica Sinica, 编辑部邮箱 1984年 11期 期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 中国期刊方阵 CJFD收录刊 |
| 【中文关键词】 | 场发射; 界面层; 势垒二极管; 载流子的输运; nGaAs; 有效势垒高度; |
| 【摘要】 | 在金属-高掺杂nGaAs之间加入薄氧化层(约10~2A)后,器件的I-V特性不再能用经典的金属-半导体接触理论来描述,而必须计入如下修正:电子由量子力学中的隧道效应穿过界面层势垒,由此引进透射系数P; 反向偏置时,有效势垒高度因界面层及界面态的存在而有所改变,并且随外加电压而变化; 正向偏置时,界面层的影响可以用理想因子n来描述。经过上述修正后推得的理论I-V,I-1/T关系式(表1)与实测曲线符合较好。文中讨论了透射系数与有效势垒高度提高的关系。 |
| 【英文摘要】 | The current-voltage (I-V) characteristics of heavily doped n-GaAs metal-thin insulator (102 (?))-semiconductor barrier diodes can not be described by classical theory of metal-semiconductor contacts. It is necessary to modify the theory by assuming: (1) the electrons pass through the barrier of interface layer by tunnelling, resulting in transmission coefficient P; (2) at reverse bias, the effective barrier height alters due to the presence of interface layer and states and changes with variation of voltage… |
| 【DOI】 | CNKI:SUN:WLXB.0.1984-11-000 |
| 【正文快照】 | 在GaAs上曾经发现m,金属一半导体接触Schottky势垒二极管(M—S SBD)的金属一半导体之间存在一定厚度(约30五)的界面氧化层(以下统称为I),可以提高有效势垒高度,降低反向漏电.将此种M-I(IO。A)一S结构应用于z。一,使势垒高度从较低的为0.5 eV提高到约0.9 eV,反向饱和电流减小几 |
