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红外线显微镜术参数_optotherm热成像仪-立特为智能话：15219504346 （温先）

关键词：  Optotherm IS640 SENTRIS，Thermal Emission Microscope system

1. 它的应非常广泛，去封装的芯片，未去封装的芯片，容，FPC,甚小尺寸的路板（PCB、PCBA）,这也就让你可以在样品的不同阶段都可以使thermal术进，如下图示例，样品路板漏定位到某QFN封装器件漏，将该器件拆下后现漏善，该器件焊引线来，未封定位为某引脚，封后针再做，进一步确认为晶圆某引线位置漏导致，如有需要可接着做SEM,FIB等。

未封器件

封器件

2. 它能测的半导体缺陷也非常广泛，微安级漏，低阻抗短路，ES击伤，闩效应点，属层部短路等等，而容的漏和短路点定位，FPC,PCB,PCBA的漏，微短路等也能够xx定位

lock-in相

封芯片漏

GAN-SIC器件

3，它是无损：为日常的失效，往往样品量稀少，这就要求失效术{zh0}是无损的，而于某些例如陶瓷容和FPC的缺陷，虽然测能测存在缺陷，但是具体缺陷位置，市的无损如XRAY或超声波，却很难进定位，只能通过样品进破坏性切片，且只能随机挑选位置，而通过Thermal 术，你需要的只是给样品，就可以述两种缺陷进定位

FPC缺陷

容缺陷

4,相热成像（LOCK IN THERMOGRAPHY）：相术，将温度分辨率高到0.001℃，5um分辨率镜头，可以测uA级漏流和微短路缺陷，远由于传统热成像及液晶热点测法（0.1℃分辨率，mA级漏流热点）

5，系统能够测量芯片等微观器件的温度分布，了一种速测热点和热梯度的有效手段，热分布不仅能显示缺陷的位置，在半导体领域

在集成路操期间，内部结加热导致接处的热量集中。器件中的峰值温度处于接处本身，并且热从接部向外传导到封装中。因此，器件操期间的xx结温测量是热表征的组成部分。

芯片附着缺陷可能是由于诸如不充分或污染的芯片附着材料，分层或空隙等原因引起的。Sentris热工具（如 图像序列）可于评估样品由内到外的热量传递过程，以便确定管芯接的完整性。

OPTOTHERM Sentris 热射显微镜系统为一台专为缺陷定位的系统，专为子产品FA设计，通过特别的LOCK-IN术，使LWIR镜头，仍能将将温度分辨率升到0.001℃（1mK），同时光学分辨率{zg}达到5um,尤其其系统经过多年的优化，具有非常易和实，以下是OPTOTHERM Sentris 热射显微镜系统过程的说明视频

LEADERWE (‘Leaderwe intelligent international limited ‘and ‘ShenZhen Leaderwe Intelligent Co.,Ltd‘)为Optotherm公司中国表（独理），在深圳设立optotherm红外热应实验室，负责该设备的演示和售，如有相关应，可免费评估测试。

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一文读懂红外传感器之红外热成像仪
我们了解到，红外热成像仪是红外传感器的诸多应中非常重要的一种应，从最初xx于为軍|高科产品，现在已经越来越普遍地走向工和民市。

在影《蒸令》里有这样一个镜头，施瓦辛格为了躲避持有热成像仪的手的追杀，跳进了装满的浴缸里，以便将己的温度和周围持一致，从而试图遮蔽己的红外号源，避免热成像仪的查。
要想知道热像仪为什么这样神奇，首先还得从它的工原理说起。

红外热成像仪的工原理

所有高于绝零度（-273℃）的物体都会红外辐射。某种特殊的子装置将物体表面的温度分布转换成人眼可见的图像，并以不同颜色显示物体表面温度分布的术称之为红外热成像术，这种子装置称为红外热成像仪。

红外热成像仪是红外测器、光学成像物镜和光机扫描系统接受被测目标的红外辐射能量分布图形映到红外测器的光敏元，在光学系统和红外测器之间，有一个光机扫描机构被测物体的红外热像进扫描，并聚焦在元或分光测器，由测器将红外辐射能转换成号，经放大处理、转换或标准视频号通过视屏或监测器显示红外热像图。

这种热像图与物体表面的热分布相应，但实际被测目标物体各部分红外辐射的热像分布图由于号非常弱，与可见光图像相比，缺少层次和立体感，因此，在实际过程中为更有效地判断被测目标的红外热分布，常采一些辅助措施来增加仪器的实功能，如图像亮度、比度的控，实标校正，色描绘等高线和直方进数学运算和处理等。
需要说明的是，同一目标的热图像和可见光图像是不同的，它不是人眼所能看到的可见光图像，而是目标表面温度分布图像，或者说，红外热图像是人眼不能直接看到目标的表面温度分布，变成人眼可以看到的表目标表面温度分布的热图像。