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关键词:  Optotherm IS640 SENTRIS,Thermal Emission Microscope system

1. 它的应非常广泛,去封装的芯片,未去封装的芯片,容,FPC,甚小尺寸的路板(PCB、PCBA),这也就让你可以在样品的不同阶段都可以使thermal术进,如下图示例,样品路板漏定位到某QFN封装器件漏,将该器件拆下后现漏善,该器件焊引线来,未封定位为某引脚,封后针再做,进一步确认为晶圆某引线位置漏导致,如有需要可接着做SEM,FIB等。

 

未封器件

 

封器件

2. 它能测的半导体缺陷也非常广泛,微安级漏,低阻抗短路,ES击伤,闩效应点,属层部短路等等,而容的漏和短路点定位,FPC,PCB,PCBA的漏,微短路等也能够xx定位

 

lock-in相

 

封芯片漏

 

GAN-SIC器件

3,它是无损:为日常的失效,往往样品量稀少,这就要求失效术{zh0}是无损的,而于某些例如陶瓷容和FPC的缺陷,虽然测能测存在缺陷,但是具体缺陷位置,市的无损如XRAY或超声波,却很难进定位,只能通过样品进破坏性切片,且只能随机挑选位置,而通过Thermal 术,你需要的只是给样品,就可以述两种缺陷进定位

 

FPC缺陷

 

容缺陷

4,相热成像(LOCK IN THERMOGRAPHY):相术,将温度分辨率高到0.001℃,5um分辨率镜头,可以测uA级漏流和微短路缺陷,远由于传统热成像及液晶热点测法(0.1℃分辨率,mA级漏流热点)

 

5,系统能够测量芯片等微观器件的温度分布,了一种速测热点和热梯度的有效手段,热分布不仅能显示缺陷的位置,在半导体领域

 

在集成路操期间,内部结加热导致接处的热量集中。器件中的峰值温度处于接处本身,并且热从接部向外传导到封装中。因此,器件操期间的xx结温测量是热表征的组成部分。

 

芯片附着缺陷可能是由于诸如不充分或污染的芯片附着材料,分层或空隙等原因引起的。Sentris热工具(如 图像序列)可于评估样品由内到外的热量传递过程,以便确定管芯接的完整性。

OPTOTHERM Sentris 热射显微镜系统为一台专为缺陷定位的系统,专为子产品FA设计,通过特别的LOCK-IN术,使LWIR镜头,仍能将将温度分辨率升到0.001℃(1mK),同时光学分辨率{zg}达到5um,尤其其系统经过多年的优化,具有非常易和实,以下是OPTOTHERM Sentris 热射显微镜系统过程的说明视频

LEADERWE (‘Leaderwe intelligent international limited ‘and ‘ShenZhen Leaderwe Intelligent Co.,Ltd‘)为Optotherm公司中国表(独理),在深圳设立optotherm红外热应实验室,负责该设备的演示和售,如有相关应,可免费评估测试。

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热射显微镜系统(Thermal Emission microscopy system),是半导体失效和缺陷定位的常的三大手段之一(EMMI,THERMAL,OBIRCH),是通过接收故障点产的热辐射异常来定位故障点(热点/Hot Spot)位置。

而OPTOTHERM Sentris 热射显微镜系统,标配LOCK IN THERMOGRAPHY相热成像术,将相术和热成像术有机结,获得超过1mk以的温度分辨率,uA级漏流或微短路等导致的缺陷,了非常好的解决方。

Thermal EMMI 在子及半导体应,专一刀士有动的描述,thermal 的应
1. 它的应非常广泛,去封装的芯片,未去封装的芯片,容,FPC,甚小尺寸的路板(PCB、PCBA),这也就让你可以在样品的不同阶段都可以使thermal术进,如下图示例,样品路板漏定位到某QFN封装器件漏,将该器件拆下后现漏善,该器件焊引线来,未封定位为某引脚,封后针再做,进一步确认为晶圆某引线位置漏导致,如有需要可接着做SEM,FIB等。
2. 它能测的半导体缺陷也非常广泛,微安级漏,低阻抗短路,ES击伤,闩效应点,属层部短路等等,而容的漏和短路点定位,FPC,PCB,PCBA的漏,微短路等也能够xx定位
3,它是无损:为日常的失效,往往样品量稀少,这就要求失效术{zh0}是无损的,而于某些例如陶瓷容和FPC的缺陷,虽然测能测存在缺陷,但是具体缺陷位置,市的无损如XRAY或超声波,却很难进定位,只能通过样品进破坏性切片,且只能随机挑选位置,而通过Thermal 术,你需要的只是给样品,就可以述两种缺陷进定位
4,相热成像(LOCK IN THERMOGRAPHY):相术,将温度分辨率高到0.001℃,5um分辨率镜头,可以测uA级漏流和微短路缺陷,远由于传统热成像及液晶热点测法(0.1℃分辨率,mA级漏流热点)
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