普通晶闸管模块工作时高di/dt时需注意事项
众所周知普通晶闸管模块的di/dt承受能力与其芯片结温有直接关系，di/dt承受能力随着温度的上升会有明显的下降。因此用户在使用时必须保证器件的散热条件。要求在工作过程中，普通普通晶闸管：Tj≤125°C，高频、快速晶闸管：Tj≤115°C。
普通晶闸管模块的di/dt承受能力实际反映了器件的电流快速开通能力，它受器件门极触发条件影响很大。采用上升率极陡的强触发脉冲，可以明显减小器件开通时间和开通损耗，增强器件di/dt承受能力。我们建议的触发脉冲要求为：
触发电流幅值：IGM = (4至10倍) IGT
触发电流上升时间：tr小于1µs。
普通晶闸管模块在承受过高的di/dt时，会在其芯片产生局部瞬时高温，这种局部瞬时高温在长期工作中会影响器件的工作寿命。因此，使用者在任何时候，都应保证di/dt不应超过器件生产厂家给出的规定值，并且留有一定裕量。
普通晶闸管模块的di/dt与其开通损耗关系极大，普通晶闸管模块高di/dt应用于高频率场合时，需考虑开通损耗上升引起的结温上升，用户应考虑降低器件通过的通态电流或增强器件散热能力。
综上所述，增强器件局部瞬时浪涌时的温度承受能力，即普通晶闸管模块结温上升越小越好，就能大大提升器件的 di/dt能力。要做到这一点，关键是的瞬态热阻要小。
昆二晶普通晶闸管模块真专家，为了您满意，我们真的走心了。若对我们的普通晶闸管模块有兴趣或存在疑惑，昆二晶欢迎您咨询，咨询电话：0577-62627555！
普通晶闸管模块的di/dt承受能力实际反映了器件的电流快速开通能力，它受器件门极触发条件影响很大。采用上升率极陡的强触发脉冲，可以明显减小器件开通时间和开通损耗，增强器件di/dt承受能力。我们建议的触发脉冲要求为：
触发电流幅值：IGM = (4至10倍) IGT
触发电流上升时间：tr小于1µs。
普通晶闸管模块在承受过高的di/dt时，会在其芯片产生局部瞬时高温，这种局部瞬时高温在长期工作中会影响器件的工作寿命。因此，使用者在任何时候，都应保证di/dt不应超过器件生产厂家给出的规定值，并且留有一定裕量。
普通晶闸管模块的di/dt与其开通损耗关系极大，普通晶闸管模块高di/dt应用于高频率场合时，需考虑开通损耗上升引起的结温上升，用户应考虑降低器件通过的通态电流或增强器件散热能力。
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