以下为 等离子增强化学气相沉积PECVD详细参数信息， 等离子增强化学气相沉积PECVD图片由特博万德科技有限公司提供， 等离子增强化学气相沉积PECVD
主要特点：
1. 单个基片、碎片或带承片盘的基片(3”-12”尺寸)
2. 适用于实验室和试制线生产
3. 沉积薄膜：氧化物、氮氧化物、氮化物和无定形硅
4. 操作简单通过打开室盖，直接将基片装入工艺室
5. 可选配一个ICP 或三极管（Triode）源，三极管可获得更高密度等离子