上海伯东美国 KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用
上海伯东美国 , 无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, IBSD 离子束溅射沉积 和 IBD 离子束沉积是其典型的应用.
在 IBSD 离子束溅射沉积应用
通常安装两个离子源
主要溅射沉积源和二次预清洁 / 离子辅助源
一次气源为惰性气体, 二次气源为惰性或反应性气体
基板远离溅射目标
工艺压力在小于× 10-4 torr
在离子束溅射沉积工艺过程:
上海伯东美国 优势
提供致密, 光滑, 无针孔, 耐用的薄膜
远离等离子体: 低基材温度
不需要偏压衬底
溅射材料, 不需要射频溅射电源
非常适用于复杂, 精密的多层薄膜制备
清洁, 低污染工艺
沉积原子为坚硬, 耐用的薄膜保留溅射能量
离子能量, 离子电流密度的控制
优良的反应沉积工艺
美国 KRi RFICP 技术参数:
型号
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Discharge 阳极
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RF 射频
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RF 射频
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RF 射频
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RF 射频
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RF 射频
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离子束流
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>100 mA
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>350 mA
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>600 mA
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>800 mA
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>1500 mA
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离子动能
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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栅极直径
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4 cm Φ
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10 cm Φ
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14 cm Φ
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20 cm Φ
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30 cm Φ
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离子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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3-10 sccm
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5-30 sccm
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5-30 sccm
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10-40 sccm
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15-50 sccm
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通气
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型压力
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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长度
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12.7 cm
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23.5 cm
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24.6 cm
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30 cm
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39 cm
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直径
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13.5 cm
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19.1 cm
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24.6 cm
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41 cm
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59 cm
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中和器
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LFN 2000
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上海伯东美国 KRi RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等. 上海伯东是美国中国总代理.
上海伯东同时提供溅射沉积系统所需的, , 等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产, 和. 美国历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.
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