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达到晶体生长的条件，子晶就从熔化物中慢慢被提起。生长过程开始于快速提拉子晶，以便使生长过程初期中子晶内的晶缺陷降到最少。然后降低拖拉速度，使晶体的直径增大。当达到所要求的直径时，生长条件就稳定下来以保持该直径。

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即使2014年的支出已呈大幅度增长态势，前道fab厂的支出仍需在2014年增长至少49%，才能使得设备支出回到2007年的水平。此外，设备的支出计划也取决于全球经济的持续复苏情况。SEMI全球集成电路制造厂观测报告(SEMIWorldFabForecast)预测，2011年前道fab的支出额将略逊于2007年，达到423亿美元。

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接下来硅锭被刻出一个小豁口或一个小平面，以显示晶向。一旦通过检查，就将硅锭切割成晶圆片。由于硅很硬，要用金刚石锯来准确切割晶圆片，以得到比要求尺寸要厚一些的晶片。金刚石锯也有助于减少对晶圆片的损伤、厚度不均、弯曲以及翘曲缺陷。

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