CT---势垒电容 
Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容 
Cjv---偏压结电容 
Co---零偏压电容 
Cjo---零偏压结电容 
Cjo/Cjn---结电容变化 
Cs---管壳电容或封装电容 
Ct---总电容 
CTV---电压温度系数.在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的{jd1}变化之比 
CTC---电容温度系数 
Cvn---标称电容 

IF ---正向直流电流(正向测试电流).锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的{zd0}工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的{zd0}正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流 
IF(AV)---正向平均电流 
IFM(IM)---正向峰值电流(正向{zd0}电流).在额定功率下,允许通过二极管的{zd0}正向脉冲电流.发光二极管极限电流. 
IH---恒定电流、维持电流. 
Ii--- 发光二极管起辉电流 
IFRM---正向重复峰值电流 
IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流) 
Io---整流电流.在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 
IF(ov)---正向过载电流 
IL---光电流或稳流二极管极限电流
ID---暗电流 
IB2---单结晶体管中的基极调制电流 
IEM---发射极峰值电流 
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与{dy}基极间反向电流 
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 
ICM---{zd0}输出平均电流 
IFMP---正向脉冲电流 
IP---峰点电流 
IV---谷点电流 
IGT---晶闸管控制极触发电流 
IGD---晶闸管控制极不触发电流 
IGFM---控制极正向峰值电流 
IR(AV)---反向平均电流 
IR (In)---反向直流电流(反向漏电流).在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波{zg}反向工作电压下的漏电流. 
IRM---反向峰值电流 
IRR---晶闸管反向重复平均电流 
IDR---晶闸管断态平均重复电流 
IRRM---反向重复峰值电流 
IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流) 
Irp---反向恢复电流 
Iz---稳定电压电流(反向测试电流).测试反向电参数时,给定的反向电流 
Izk---稳压管膝点电流 
IOM---{zd0}正向(整流)电流.在规定条件下,能承受的正向{zd0}瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的{zd0}工作电流 
IZSM---稳压二极管浪涌电流 
IZM---{zd0}稳压电流.在{zd0}耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 
iF---正向总瞬时电流 
iR---反向总瞬时电流 
ir---反向恢复电流 
Iop---工作电流 
Is---稳流二极管稳定电流 
f---频率 
n---电容变化指数;电容比 
Q---优值(品质因素) 
δvz---稳压管电压漂移 
di/dt---通态电流临界上升率 
dv/dt---通态电压临界上升率 

PB---承受脉冲烧毁功率 
PFT(AV)---正向导通平均耗散功率 
PFTM---正向峰值耗散功率 
PFT---正向导通总瞬时耗散功率 
Pd---耗散功率 
PG---门极平均功率 
PGM---门极峰值功率 
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 
Pi---输入功率 
PK---{zd0}开关功率 
PM---额定功率.硅二极管结温不高于150度所能承受的{zd0}功率 
PMP---{zd0}漏过脉冲功率 
PMS---{zd0}承受脉冲功率 
Po---输出功率 
PR---反向浪涌功率 
Ptot---总耗散功率 
Pomax---{zd0}输出功率 
Psc---连续输出功率 
PSM---不重复浪涌功率 
PZM---{zd0}耗散功率.在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的{zd0}功率 
RF(r)---正向微分电阻.在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性.在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻 

RBB---双基极晶体管的基极间电阻 
RE---射频电阻 
RL---负载电阻 
Rs(rs)----串联电阻 
Rth----热阻 
R(th)ja----结到环境的热阻 
Rz(ru)---动态电阻 
R(th)jc---结到壳的热阻 
r δ---衰减电阻 
r(th)---瞬态电阻 

Ta---环境温度 
Tc---壳温 
td---延迟时间 
tf---下降时间 
tfr---正向恢复时间 
tg---电路换向关断时间 
tgt---门极控制极开通时间 
Tj---结温 
Tjm---{zg}结温 
ton---开通时间 
toff---关断时间 
tr---上升时间 
trr---反向恢复时间 
ts---存储时间 
tstg---温度补偿二极管的贮成温度 

a---温度系数 

λp---发光峰值波长 
△ λ---光谱半宽度 
η---单结晶体管分压比或效率 
VB---反向峰值击穿电压 
Vc---整流输入电压 
VB2B1---基极间电压 
VBE10---发射极与{dy}基极反向电压 
VEB---饱和压降 
VFM---{zd0}正向压降(正向峰值电压) 
VF---正向压降(正向直流电压) 
△VF---正向压降差 
VDRM---断态重复峰值电压 
VGT---门极触发电压 
VGD---门极不触发电压 
VGFM---门极正向峰值电压 
VGRM---门极反向峰值电压 
VF(AV)---正向平均电压 
Vo---交流输入电压 
VOM---{zd0}输出平均电压 
Vop---工作电压 
Vn---中心电压 
Vp---峰点电压 
VR---反向工作电压(反向直流电压) 
VRM---反向峰值电压({zg}测试电压) 
V(BR)---击穿电压 
Vth---阀电压(门限电压) 
VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压) 
VRWM---反向工作峰值电压 
V v---谷点电压 
Vz---稳定电压 
△Vz---稳压范围电压增量 
Vs---通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压 
av---电压温度系数 
Vk---膝点电压(稳流二极管)