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三极管的参数解释

△ λ---光谱半宽度

△VF---正向压降差

△Vz---稳压范围电压增量

av---电压温度系数

a---温度系数

BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压

BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压

BVceo---基极开路，CE结击穿电压

BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压

BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压

Cib---共基极输入电容

Cic---集电结势垒电容

Cieo---共发射极开路输入电容

Cies---共发射极短路输入电容

Cie---共发射极输入电容

Cjo/Cjn---结电容变化

Cjo---零偏压结电容

Cjv---偏压结电容

Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容

CL---负载电容（外电路参数）

Cn---中和电容（外电路参数）

Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容

Coeo---共发射极开路输出电容

Coe---共发射极输出电容

Co---零偏压电容

Co---输出电容

Cp---并联电容（外电路参数）

Cre---共发射极反馈电容

Cs---管壳电容或封装电容

CTC---电容温度系数

CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的{jd1}变化之比

Ct---总电容

Cvn---标称电容

di/dt---通态电流临界上升率

dv/dt---通态电压临界上升率

D---占空比

ESB---二次击穿能量

fmax---{zg}振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率

fT---特征频率

f---频率

h RE---共发射极静态电压反馈系数

hFE---共发射极静态电流放大系数

hfe---共发射极小信号短路电压放大系数

hIE---共发射极静态输入阻抗

hie---共发射极小信号短路输入阻抗

hOE---共发射极静态输出电导

hoe---共发射极小信号开路输出导纳

hre---共发射极小信号开路电压反馈系数

IAGC---正向自动控制电流

IB2---单结晶体管中的基极调制电流

IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的{zd0}值，或交流电流的{zd0}平均值

IB---基极直流电流或交流电流的平均值

Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流

Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流

Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流

Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流

Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流

ICMP---集电极{zd0}允许脉冲电流

ICM---集电极{zd0}允许电流或交流电流的{zd0}平均值。

ICM---{zd0}输出平均电流

Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值

IDR---晶闸管断态平均重复电流

ID---暗电流

IEB10---双基极单结晶体管中发射极与{dy}基极间反向电流

IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流

Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流

IEM---发射极峰值电流

IE---发射极直流电流或交流电流的平均值

IF（AV）---正向平均电流

IF(ov)---正向过载电流

IFM（IM）---正向峰值电流（正向{zd0}电流）。在额定功率下，允许通过二极管的{zd0}正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

IFMP---正向脉冲电流

IFRM---正向重复峰值电流

IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）

IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的{zd0}工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的{zd0}正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流

iF---正向总瞬时电流

IGD---晶闸管控制极不触发电流

IGFM---控制极正向峰值电流

IGT---晶闸管控制极触发电流

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流

IL---光电流或稳流二极管极限电流

IOM---{zd0}正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向{zd0}瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的{zd0}工作电流

Iop---工作电流

Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

IP---峰点电流

IR（AV）---反向平均电流

IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波{zg}反向工作电压下的漏电流。

IRM---反向峰值电流

Irp---反向恢复电流

IRRM---反向重复峰值电流

IRR---晶闸管反向重复平均电流

IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）

ir---反向恢复电流

iR---反向总瞬时电流

ISB---二次击穿电流

Is---稳流二极管稳定电流

IV---谷点电流

Izk---稳压管膝点电流

IZM---{zd0}稳压电流。在{zd0}耗散功率下稳压二极管允许通过的电流

IZSM---稳压二极管浪涌电流

Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流

n---电容变化指数；电容比

PB---承受脉冲烧毁功率

PCM---集电极{zd0}允许耗散功率

Pc---集电极耗散功率

PC---控制极平均功率或集电极耗散功率

Pd---耗散功率

PFT（AV）---正向导通平均耗散功率

PFTM---正向峰值耗散功率

PFT---正向导通总瞬时耗散功率

PGM---门极峰值功率

PG---门极平均功率

Pi---输入功率

Pi---输入功率

PK---{zd0}开关功率

PMP---{zd0}漏过脉冲功率

PMS---{zd0}承受脉冲功率

PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的{zd0}功率

Pn---噪声功率

Pomax---{zd0}输出功率

Posc---振荡功率

Po---输出功率

Po---输出功率

PR---反向浪涌功率

Psc---连续输出功率

PSM---不重复浪涌功率

Ptot---总耗散功率

Ptot---总耗散功率

PZM---{zd0}耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的{zd0}功率

Q---优值（品质因素）

r δ---衰减电阻

R(th)ja----结到环境的热阻

R(th)jc---结到壳的热阻

r(th)---瞬态电阻

rbb分钟Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积

rbb分钟---基区扩展电阻（基区本征电阻）

RBB---双基极晶体管的基极间电阻

RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）

RB---外接基极电阻（外电路参数）

Rc ---外接集电极电阻（外电路参数）

RE---射频电阻

RE---外接发射极电阻（外电路参数）

RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻

RG---信号源内阻

rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻

RL---负载电阻

RL---负载电阻（外电路参数）

roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻

Rs(rs)----串联电阻

Rth---热阻

Rth----热阻

Rz(ru)---动态电阻

Ta---环境温度

Ta---环境温度

Tc---管壳温度

Tc---壳温

td---延迟时间

td----延迟时间

tfr---正向恢复时间

tf---下降时间

tf---下降时间

tgt---门极控制极开通时间

tg---电路换向关断时间

Tjm---{zd0}允许结温

Tjm---{zg}结温

Tj---结温

toff---关断时间

toff---关断时间

ton---开通时间

ton---开通时间

trr---反向恢复时间

tr---上升时间

tr---上升时间

tstg---温度补偿二极管的贮成温度

Tstg---贮存温度

ts---存储时间

ts---存贮时间

Ts---结温

V n---噪声电压

V v---谷点电压

V（BR）---击穿电压

VAGC---正向自动增益控制电压

VB2B1---基极间电压

VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）

VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）

VBE10---发射极与{dy}基极反向电压

VBE---基极发射极（直流）电压

VB---反向峰值击穿电压

VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的{zg}耐压

VCB---集电极-基极（直流）电压

Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）

VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降

VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的{zg}耐压

VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的{zg}耐压

VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的{zg}耐压

VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的{zg}耐压

VCE---集电极-发射极（直流）电压

Vc---整流输入电压

VDRM---断态重复峰值电压

VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的{zg}耐压

VEB---饱和压降

VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）

VF（AV）---正向平均电压

VFM---{zd0}正向压降（正向峰值电压）

VF---正向压降（正向直流电压）

VGD---门极不触发电压

VGFM---门极正向峰值电压

VGRM---门极反向峰值电压

VGT---门极触发电压

Vk---膝点电压（稳流二极管）

VL ---极限电压

Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值

Vn---中心电压

VOM---{zd0}输出平均电压

Vop---工作电压

Vo---交流输入电压

Vp---穿通电压。

Vp---峰点电压

VRM---反向峰值电压（{zg}测试电压）

VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）

VRWM---反向工作峰值电压

VR---反向工作电压（反向直流电压）

VSB---二次击穿电压

Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压

Vth---阀电压（门限电压）

Vz---稳定电压

δvz---稳压管电压漂移

η---单结晶体管分压比或效率

λp---发光峰值波长