电容器主要特性参数　

　1、标称电容量和允许偏差

　　标称电容量是标志在电容器上的电容量。

　　电容器的基本单位是法拉(F)，但是，这个单位太大，在实地标注中很少采用。

　　其它单位关系如下：

　　1F=1000mF

　　1mF=1000μF

　　1μF=1000nF

　　1n=1000pF

　　电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。

　　精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）

　　一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。

　　2、额定电压

　　在{zd1}环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的{zg}直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的{yj}损坏。

　　3、绝缘电阻

　　直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻.

　　当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉0.1uf时，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越小越好。

　　电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。

　　4、损耗

　　电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。　

　　在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。

　　5、频率特性

　　随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。

　　6,常用公式

　　平行板电容器公式中C=εS/4πkd

。

　　温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到{zd0}的电容电压乘积。

　　对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态。

　　超小型高可靠机件中。

　　薄膜电容器

　　结构与纸质电容器相似，但用聚脂、等低损耗塑材作介质。

　　频率特性好，介电损耗小。

　　不能做成大的容量，耐热能力差。

　　滤波器、积分、振荡、定时电路。

　　瓷介电容器

　　穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小，

　　频率特性好，介电损耗小，有温度补偿作用。

　　不能做成大的容量，受振动会引起容量变化。

　　特别适于高频旁路。

　　独石电容器(多层陶瓷电容器)

　　在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次绕结成一块不可分割的整体，外面再用树脂包封而成

　　小体积、大容量、高可靠和耐高温的新型电容器，高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能，体积极小，Q值高

　　容量误差较大

　　噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路

　　纸介电容器

　　一般是用两条铝箔作为电极，中间以厚度为0.008～0.012mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成。

　　制造工艺简单，价格便宜，能得到较大的电容量

　　一般在低频电路内，通常不能在高于3～4MHz的频率上运用。油浸电容器的耐压比普通纸质电容器高，稳定性也好，适用于高压电路

　　微调电容器(半可变电容器)

　　电容量可在某一小范围内调整，并可在调整后固定于某个电容值。

　　瓷介微调电容器的Q值高，体积也小，通常可分为圆管式及圆片式两种。

　　云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东，结构简单，但稳定性较差。

　　线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变动电容量的，故容量只能变小，不适合在需反复调试的场合使用

　　陶瓷电容器

　　用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。

　　具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

　　低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

　　高频瓷介电容器适用于高频电路

　　云母电容器

　　就结构而言，可分为箔片式及被银式。被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成，由于xx了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比箔片式高。

　　频率特性好，Q值高，温度系数小

　　不能做成大的容量

　　广泛应用在高频电器中，并可用作标准电容器

　　玻璃釉电容器

　　由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成"独石"结构

　　性能可与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，一般可在200℃或更高温度下工作，额定工作电压可达500V，损耗tgδ0.0005～0.008　

　　电容器:电子设备中充当整流器的平滑滤波、电源和退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等的电子元件称为电容器。电容器包括固定电容器和可变电容器两大类，其中固定电容器又可根据所使用的介质材料分为云母电容器、陶瓷电容器、纸/塑料薄膜电容器、电解电容器和玻璃釉电容器等；可变电容器也可以是玻璃、空气或陶瓷介质结构。

　　电容器的损耗与漏电和使用环境的温度有极大的关系！！！

　　　固定电容器

　　固定电容器的检测方法

　　A.检测10pF以下的小电容因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象。测量时,可选用万用表R×10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿。

　　B.检测10PF～001μF固定电容器是否有充电现象,进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要小。可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察。

　　应注意的是：在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动。C对于001μF以上的固定电容,可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。

Rubycon(红宝石)

Rubycon即红宝石，是日本三大电容器厂家之一，其主要产品为以铝电解电容、塑胶薄膜电容器为主的各种电容产品。xx的DIY主板品牌升技就曾经在其产品里广泛使用红宝石电容，主要产品有MBZ，MCZ系列电容，品质优异。防暴纹为英文字母“K”字型，侧面注有“Rubycon”字样。

Nichicon(蓝宝石)

NICHICON 是日本的老牌电容厂，公司成立于1950年8月1日，是日本电解电容行业的三大企业之一，在全球电解电容技术领域中，一直处于{lx1}地位，Nichicon产品范围主要是电解电容器。不过它如今的水平比RUBYCON要好一些，因为NICHICON现在已经有铝固体聚合物导体电容——F55系列。不过NICHICON电容和SANYO、CHEMICON等厂牌相比，普遍的指标都比较低，其LOW ESR的{zg}端产品，ESR值还停留在10几毫欧姆的水平(SANYO的钽聚合物并联电容能达到5毫欧姆)。基本上，NICHICON的进步势头已经很慢了.防暴纹为十字型(不过最垃圾的山寨电容也是十字 )侧面有“nichicon”字样

Sanyo(三洋)

Sanyo(三洋)在电解电容行业里面的地位，类似三星在数字家电行业里面的地位，其电容的种类和产量，研发技术水准在业界都是数一数二的。单从性能上看，Sanyo可能并不算{zg}端的品牌，但是从生产规模、供货能力、品控能力和研发水平综合评判，Sanyo{jd1}是如今电容行业里的龙头老大。Sanyo普通电解电容的防暴纹是“K”字型,则面“sanyo”字样

NCC(Chemicon 日本化工)

Nippon Chemi-con 即日本化工，Chemicon电容外皮上没有标示厂牌，但在电容侧面会著明相应的产品型号，大家在显卡、主板上常见的KZG，KZJ，KZE等系列电容就是Chemicon的产品.近年来收购了美国陶瓷电容大厂AVX，可谓如虎添翼。如今的CHEMICON不仅在电解电容上造诣很深，在陶瓷电容方面其技术和产品也是数一数二的。前文我们说过，为了和SANYO竞争，CHEMICON的产品，在价格相同的前提下,其规格往往会比SANYO更高。这有些像AMD对付INTEL的方式.该系列电容的防暴纹酷似奔驰汽车的标志，很好判断。

PANASONIC(松下)

这就是我们熟悉的松下。PANASONIC的电解电容和陶瓷电容实力都很强。不过松下xx产品主要以钽固体聚合物电容为主，所以在一般硬件里面使用的很少。此外，松下的电解液电容GOLD(金装电容)系列也很有名。防暴纹为“T”字型，侧面有“M”标记

Teapo — 台系中{zh0}的

Sacon — 韩国电容厂家，品质不错。

GSC — 暴浆王...

Jackcon — 比GSC还烂。。。新一代暴浆王

OST — 较容易暴浆，和GSC齐名。。。

此外，在电容业界还有一些老牌厂商，如ELNA、NEC 等。但由于这些厂商的电容产品，用于特殊行业的产品比较多，在硬件产品当中很难见到，这里不多做介绍了