日本DRAM大厂尔必达本日颁布发表已经研发出40nm 2Gb移动（Mobile RAM）内存颗粒。该颗粒大不大不到50平方毫米，号称如今可以或许利用40nm工艺实现量产得最不大颗粒。
该2Gb移动内存颗粒基于40nm CMOS工艺，支持x16-bit、x32-bit位宽，采取60/90-ball FBGA或PoP式FBGA封装。除JEDEC标准得1.8V电压外，该颗粒还可支持1.2V得低电压事变，数据传输率400Mbps，事变温度-25到 85度。
尔必达称，新40nm颗粒在利用了尔必达{dj2}计划工艺以及对电路、团体计划得优化后，功耗比拟之前50nm颗粒低落30%。一颗40nm 2Gb移动颗粒得功耗比两颗1Gb颗粒功耗一半还少。并且在不变化颗粒封装空间得条件下，新颗粒密度进步两倍，实用于智能手机、平板机等别得手持配置。
据悉尔必达将在本年六月份出货样品颗粒，7月份就有大概实现量产，尔必达广岛工厂将认真新颗粒得生产。
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