[科技纵横]内存、闪存的大革命---从D-Ram到F-Ram

编辑：

    最近，韩国教育科学技术部评选出了五位拥有{dj1}技术有望推动韩国科学达到新水平的科学家。在物理学领域的教授韩国首尔国立大学物理专门学部的卢泰元(노태원)教授被授予了韩国国家科学家的称号。接下来，就让我们一起了解一下这位科学家的{zy1}成就。卢泰元教授的研究可以归纳为对氧化物进行研究从而克服半导体尺寸的限制。大多数电脑和家用电器的半导体记忆芯片都是D-Ram内存芯片和Flash Memory Chips闪存芯片。D-Ram内存芯片速度快而且体积非常小，但是他们的缺点就是在关闭的时候会造成信息丢失。此外，Flash Memory Chips闪存芯片虽然运行速度较慢，但可以存储信息，广泛的应用于数码相机和MP3上。科学家已经开始着手研发不会受到这些限制的下一代记忆芯片。他们{zh1}研发出了F-Ram非挥发性铁电内存芯片，这种芯片既保持了原有D-Ram的尺寸和速度，并可以保存数据长达10年之久。但是目前还没有可以让F-Ram芯片变得更薄的技术，这也阻碍了F-Ram芯片商业化开发的步伐。但是，目前卢教授找到了一个解决方法。
    事实上，强诱电体有一个缺点。它越薄，就会形成一定的电路，这样强诱电体就无法在关闭的状态下存储数据。这就违背了半导体业界的口号“更薄更小”。但是卢教授从金属和氧气发生化学反应产生的金属锈体上得到启发，因为金属锈体和原来的金属在性能上有很大差异。他于2004年将氧气和铍，钛相结合，最终研发出了世界上{sk}强诱电体，这种强诱电体可以在厚度为5纳米的状态下保持其电的性能。鉴于传统的强诱电体厚度一般都是100纳米左右，卢教授的成果几乎是不可想象的。
    韩国首尔国立大学物理专门学部卢泰元教授的研究成果能够推进F-Ram芯片的商业化进程，韩国也将能够保持它在下一代半导体市场上的领军地位。现在卢教授已经为自己定下了目标。他正梦想着研发出一种高效率设备，进而能够推动可再生能源产业。他的努力将能够开辟一个将物理学概念应用于能源领域的先河。我们赞扬他这种挑战精神的同时，也希望他能够在未来为我们带来更多更先进的科研成果。

●

  

●