【IT商业新闻网讯】（记者叶青）上周，东芝发布了该公司2010财年第四财季及全年财报，第四财季东芝获净利润486亿日元、运营利润1042.8亿日元、营收1.847万亿日元。东芝表示，在截至2011年3月31日的2011财年，公司将在三年来首次实现年度盈利，并预计公司2011财年利润将增长一倍。

    东芝称，第四财季重新恢复盈利主要受益于市场对闪存芯片需求强劲的推动。东芝发言人表示，“受智能手机等新产品的推动，闪存芯片的市场需求正在不断上涨，预计闪存芯片市场将在中长期内保持增长。”受iPhone及其它智能手机销量大幅增长的推动，全球NAND闪存芯片市场已经复苏。自去年年初以来，NAND闪存的平均销售价格一路上涨，原因是NAND闪存供应商削减产能，应对2008年第四季度和2009年{dy}季度市场供大于求的局面。去年第二季度，NAND闪存平均销售价格上涨了18.5%，第三季度上涨了40%。市场调研公司iSuppli预计，今年全球NAND闪存市场规模将达到181亿美元，较上年增长34%，而全球半导体市场营收将下降12.4%。

    因此，公司决定，在未来三年内将在资本支出和研发领域投入2.4万亿日元，其中含为资本支出投入1.3万亿日元，为研发投入1.1万亿日元。同时，作为日本国内的{zd0}存储芯片制造商，东芝当前正在增加对存储芯片业务的投入，本财年计划将芯片业务投资增加近一倍至1600亿日元，以满足市场对该产品需求的增长。

    3月尾，东芝已宣布重启2008年规划好的新建第五座NAND闪存芯片制造厂的计划。东芝未来三年内将投入8000亿日元，在日本三重县修建一座闪存芯片制造厂，使公司NAND闪存芯片制造能力提高大约一倍。

    4月初，东芝又称今年要投入150亿日元建设一条测试生产线来生产25纳米以下尺寸闪存芯片，并称已向ASML订购了芯片制造设备来生产电路尺寸在25纳米以下的微芯片。东芝发言人表示公司计划在2010年下半年生产20至29纳米之间制程的NAND闪存芯片，最快可在2012年投产20纳米制程以下的芯片预计。

    东芝还计划削减成本，专注于前景广阔的领域，如核电站和锂离子电池，以缓解芯片价格动荡带来的不利影响。东芝一直在努力重新规划其庞杂的公司架构并削减亏损的业务，剥离了一部分制造业务来改善运营状况，该公司不久前刚出售一家新加坡的液晶显示器的面板工厂给台湾友达光电公司。

    iSuppli中国分析师顾文军指出，现在韩国和美国都非常重视存储芯片产业的发展，产能过剩导致该行业过去3年间出现了数十亿美元的亏损。而如今投资的迅速增长可能引发新一轮的需求过剩。市场份额更大的竞争对手三星电子同样计划大幅增加投资。乐天投资管理公司总裁大岛一孝指出：“东芝计划增加芯片业务投资，以应对需求增长，并与韩国对手竞争，这是可以理解的。半导体生产厂的投资金额巨大，不过主要的问题是，东芝能否在按照计划及时建成这些工厂，以满足迅速增长的需求。”

    东芝是NAND闪存芯片的第二大生产商，仅次于三星电子。然而，现在的东芝将受到新对手的威胁。在今年2月，美国电脑存储芯片制造商美光科技以12.7亿美元收购闪存芯片制造商恒亿半导体(Numonyx Holdings BV)，借此获得了恒亿半导体的NOR闪存芯片业务。韦德布什·摩根证券(Wedbush Morgan)分析师贝特西·范·赫斯(Betsy Van Hees)认为，“美光科技将凭借多样化的芯片产品成为手机市场的主导厂商。这对美光科技的地位十分有利。”

    美光科技CEO史蒂夫·阿普里顿(Steve Appleton)表示，该交易使得美光科技与竞争对手拉开了差距：“我认为我们将肯定会成为存储芯片行业的第二大制造商，只有三星可与我们媲美。”

    顾文军指出，三星是全球{zd0}的存储芯片制造商，除闪存芯片外，美光和三星还生产PC中的主要存储芯片DRAM芯片。美光收购恒亿后，存储芯片市场已显现三星和美光垄断的双寡头格局，将日系的东芝和NEC等存储芯片厂家远远地甩在了后面。

    东芝高级执行副总裁Fumio Muraoka表示：“与去年的悲观情绪相比，现在看来前景要好得多，当然我们还不能过于乐观”。