低能离子轰击后铌酸锂晶体表面层的性质
| 【中文篇名】 | 低能离子轰击后铌酸锂晶体表面层的性质 |
| 【英文篇名】 | THE PROPERTIES OF THE SURFACE LAYER OF LiNbO_3 CRYSTAL AFTER LOW-ENERGY ION BOMBARDMENT |
| 【作者】 | 冯锡淇; 任琮欣; 李川; 陈光梦; |
| 【英文作者】 | FENG XI-QI （Shanghai Institute of Ceramics; Academia Sinica）; rEN CONG-XI LI CHUAN CHENG GUANG-MENG; （Shanghai Institute of Metallurgy; Aeademia Sinica） （Department of Physics; Fudan University）; |
| 【作者单位】 | 中国科学院上海硅酸盐研究所; 中国科学院上海冶金研究所; 复旦大学物理系; |
| 【文献出处】 | 物理学报 , Acta Physica Sinica, 编辑部邮箱 1984年 02期 期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 中国期刊方阵 CJFD收录刊 |
| 【中文关键词】 | 低能离子轰击; 铌酸锂晶体; 透射特性; 晶片; 氧缺位; 表面层; 离子刻蚀; |
| 【摘要】 | 从实验中观察到,低能离子轰击后的铌酸锂晶体表面层在3500—6500之间出现至少两个光吸收峰,表面的相对暗电导率增加两个数量级。这表明离子轰击后的铌酸锂中产生了附加的光吸收和电导xx中心。在离子轰击过程中,由于某些原子基团和原子的优先溅射,在表面层中造成相当大的化学计量比偏离,它直接影响晶体的光学和电学性质。XPS(X射线电子能谱)测试结果证实,这一表面层的构成符合铌酸锂缺陷结构的空位模型。讨论了附加xx中心的成因,并据此解释了Ar~+/O~+混合离子轰击铌酸锂晶体所得到的结果。 |
| 【英文摘要】 | We observed experimentally that at least two optical absorption peaks appear between 3500-6500 A after bombardment of LiNbO3 crystal surface by low-energy ion. Also the relative dark conductivity increase by two order of magnitudes, the fact suggests that the additional optical absorption and conductiviting active center creates after ion-bombardment. During bombardment, owing to the prior sputtering of some atom and atom groups in the crystal, a substantial deviation of stoichiometry occur in the surface l… |
| 【DOI】 | CNKI:SUN:WLXB.0.1984-02-008 |
| 【正文快照】 | 铌酸锂(L,iNbO。)是一种人们熟知的功能晶体材料,对于它在压电、电光、倍频和全息存储等方面的性能已进行广泛的研究; 而且它也是正在急速发展中的集成光学技术中最重要的基础材料之一.近年来,离子束注入,离子束刻蚀等微加工技术开始用于L,iNb03晶体的表面加工,如超高频换能器、 |
