微电子所W波段压控振荡器研制成功企业库|免费b2b网站

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近日，在微电子所领导和四室领导的大力支持下，四室金智研究员领导的毫米波器件与电路组研制成功一款基于InP HBT的W波段压控振荡器(VCO)。该VCO采用电流镜偏置和两级差分结构，其中{dy}级为振荡源核心，第二级为输出缓冲级，利用BC结电容作为调谐元件，电路面积为0.65mm*0.75mm，芯片照片如图1所示。经测试，振荡器调谐频率范围为75GHz-85GHz，其中80GHz以上频段单端输出功率高于0dBm，相位噪声低于-80dBc/Hz@10MHz offset，图2为该VCO的频谱输出照片。

W波段VCO输出频谱 (Vt=-1.5V时)

W波段VCO是W波段频率源前端的核心部件，其设计制作对有源器件的fmax、无源器件的品质因数均有很高的要求，该VCO面向新一代W波段频率源，利用低1/f噪声的InP HBT器件制作高品质振荡器，有望通过进一步改进，用作W波段直接基波频率源的前端核心组件。测试结果表明该方案体现出了InP HBT振荡器易调谐、微型化和高频谱质量等优势。

该VCO由四室王显泰设计，由苏永波、王显泰和周磊完成流片，其中器件由葛霁和曹玉雄建模，从设计到制作均采用HBT组自主研发的工艺技术，并在我所化合物半导体工艺线完成流片，证明了四室在InP HBT材料结构设计，器件工艺、模型提取、电路设计方面已经初步形成一套较为完备的流程，能够满足毫米波单片电路研制的需求。

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