ULN2003

高耐压、大电流达林顿管IC—ULN2003

概述与特点:

　　ULN2003 是高耐压、大电流达林顿陈列，由七个硅NPN 达林顿管组成。

　　该电路的特点如下：

　　ULN2003 的每一对达林顿都串联一个2.7K 的基极电阻,在5V 的工作电压下它能与TTL 和CMOS 电路直接相连，可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。

　　ULN2003 工作电压高，工作电流大，灌电流可达500mA，并且能够在关态时承受50V 的电压，输出还可以在高负载电流并行运行。

　　ULN2003 采用DIP—16 或SOP—16 塑料封装。

方框图:

内部示意图:

ULN2003是集成达林顿管IC,内部还集成了一个消线圈反电动势的二极管(见内部示意图)，可用来驱动继电器。它是双列16脚封装,NPN晶体管矩阵,{zd0}驱动电压=50V,电流=500mA,输入电压=5V,适用于TTL COMS,由达林顿管组成驱动电路。

ULN2003它的输出端允许通过电流为200mA，饱和压降VCE 约1V左右，耐压BVCEO 约为36V。用户输出口的外接负载可根据以上参数估算。采用集电极开路输出，输出电流大，故可直接驱动继电器或固体继电器，也可直接驱动低压灯泡。通常单片机驱动ULN2003时，上拉2K的电阻较为合适，同时，COM引脚应该悬空或接电源。

COM端主要有两种用途：

1 试验用----接地：假如它的输出端都接发光二极管，那么，只要将COM端接地，则所有的发光二极管都将亮起，否则，可能是二极管坏或其它什么地方坏了。这对检修是很有利的。

2 保护用----接电源正：假如这个器件是接继电器或针式打印头，因为电感的作用，会在开关过程中产生低于地电位和高于电源电位的反电动势，这样，很容易击穿器件。

A-为了防止这种现象的发生，可将COM端接到电源正，来削减冲击电压低到二极管压降加电源电压的幅度---可以使得内部的三极管受到最小的正电压冲击。

B-至于达林顿关断时产生的负电压我们不必管，因为器件内部就有二极管并接到地的---专门用来削减冲击电压至电源地减去一个二极管正向压降----可以使得内部的三极管受到最小的反偏电压冲击。

ULN2003是一个非门电路，包含7个单元，单独每个单元驱动电流{zd0}可达350mA，9脚可以悬空。

　　比如1脚输入，16脚输出，你的负载接在VCC与16脚之间，不用9脚。

　　ULN2003的作用：

　　ULN2003是大电流驱动阵列,多用于单片机、智能仪表、PLC、数字量输出卡等控制电路中。可直接驱动继电器等负载。

　　输入5VTTL电平，输出可达500mA/50V。

　　ULN2003是高耐压、大电流达林顿陈列,由七个硅NPN达林顿管组成。 该电路的特点如下: ULN2003的每一对达林顿都串联一个2.7K的基极电阻,在5V的工作电压下它能与TTL和CMOS电路 直接相连,可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器。

　　ULN2003 是高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品,具有电流增益高、工作电压高、温度范围宽、带负载能力强等特点,适应于各类要求高速大功率驱动的系统。

另附:

一．TTL

      TTL集成电路的主要型式为晶体管－晶体管逻辑门（transistor-transistor logic gate），TTL大部分都采用5V电源。

1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol

       Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V

2.输入高电平和输入低电平

       Uih≥2.0V，Uil≤0.8V

二．CMOS

       CMOS电路是电压控制器件，输入电阻极大，对于干扰信号十分敏感，因此不用的输入端不应开路，接到地或者电源上。CMOS电路的优点是噪声容限较宽，静态功耗很小。

1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol

       Uoh≈VCC，Uol≈GND

2.输入高电平Uoh和输入低电平Uol

       Uih≥0.7VCC,Uil≤0.2VCC             （VCC为电源电压，GND为地）