闪存原理与重量变化摘自:顶顶华网

MP3里面保存了200首歌,那Mp3的重量会不会变重Z
  手边正好有MP3和分析天平,于是就动手验证。结果令我惊异,重量竟然真的会增加!    一开始,实验进行的并不顺利,我每次都往MP3里写入约200M的歌曲,连做了5次,但重量并不增加,反而有微量的下降(下降值在0.1025~0.2186克之间)。后来我找到了原因,原来是由于电池的消耗!    重新实验:将空的MP3充满电,记录重量→然后装上另一个电池,写入歌曲→换上开始的那个电池,记录重量→求两次重量值之差。    天哪,重量真的增加了。经3次重复实验,增加的重量平均值为0.2521克,平均0. 0012605克/M。    又用不同格式的歌曲做对比,发现MP3格式最重,平均0.001827g/M  rm格式次之,平均0.0013375g/M;  wma格式最轻,平均0.0010263g/M。不知是何原因。之后,我兴趣愈发浓厚,便用各种类型的东西来做交叉对比。共用了word文档、各种格式的视频、音频、JPEG图片来交叉比对,重量却无明显变化。郁闷。        灵光一闪,我用录入不同文字的word文档来作比对,结果令我目瞪口呆。    5个word文档的实验结果如下:        录入“打酱油”三字的word文档最重,与空白文档相比,平均增加值为0.0025g/字;    录入“飘过”二字的word文档次之,与空白文档相比,平均增加值为0.0018g/字;    录入“凌波微步”四字的word文档再次之,与空白文档相比,平均增加值为0. 0012g/字;    录入“西乡县板桥粮油加工厂”十字的word文档最轻,与空白文档相比,平均增加值为负0.7474g/字;    而录入“屎上粪量最足”六字word文档则十分可怕,与空白文档相比,平均增加值竟然高达0.8888g/字。      不能不感叹汉字的神奇。

 

闪存原理与重量变化

闪存原理:  无论NAND还是NOR,都是闪存(Flash Memory)家族中的成员,两者在基本的数据存储方式和操作机理上都xx相同。闪存以单晶体管作为二进制信号的存储单元,它的结构与普通的半导体晶体管 (场效应管)非常类似,区别在于闪存的晶体管加入了“浮动栅(floating gate)”和“控制栅(Control gate)”—前者用于贮存电子,表面被一层硅氧化物绝缘体所包覆,并通过电容与控制栅相耦合。当负电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时,该NAND 单晶体管的存储状态就由1变成0。相对来说,当负电子从浮动栅中移走后,存储状态就由0变成1;而包覆在浮动栅表面的绝缘体的作用就是将内部的电子“困住”,达到保存数据的目的。如果要写入数据,就必须将浮动栅中的负电子全部移走,令目标存储区域都处于1状态,这样只有遇到数据0时才发生写入动作—但这个过程需要耗费不短的时间,导致不管是NAND还是NOR型闪存,其写入速度总是慢于数据读取的速度。------讨论题:MP3和WORD文档的重量,3种情况: 1、闪存用 1 初始化: 拷入文件后电子数量增加--闪存变重; 2、闪存用 0 初始化: 拷入文件后电子数量减少--闪存变轻; 3、用过的闪存: 尽管做了格式化,0和1的数量不定,拷入文件后闪存变重或变轻;(拷贝前后电子数相同的几率极小)------两个MP3文件的‘0’‘1’值的数量如果分别能确定则可确定闪存重量之变化!------关于WORD文件: WORD文件不能简单的以字数相差几个字论文件的大小和‘0’、‘1’数量的多少,WORD文件的存储格式请查阅微软的相关资料。------不同的闪存芯片的差异:电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时就会存在数量差异。------同一闪存的历史时期差异:晶体衰老,电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时就会存在数量差异。------不同微机的差异:不同微机加载到控制栅的电压不同,电子注入到浮动栅中时就会存在数量差异。------同一微机不同USB口的差异:USB1、USB2 …… 存在差异, …… 。------同一微机的历史时期差异:微机电源元件衰老,主板元件的衰老, …… 。------ …… ……



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