去耦- 电力监控系统设计- forgetyou - 和讯博客
去耦 [转贴 2007-08-29 21:52:27]   

模电书上讲的去偶大多是讲电源的去耦,就是一个电路的各个单元共用同
一电源供电,为了防止各单元之间的耦合,需加去偶电路。造成偶合的原因有:
    数字电路:在电平翻转时的瞬间会有较大的电流,且会在供电线路上产生自感电压。
    功率放大电路:因电流较大,此电流流过电源的内阻和公共地和电源线路时产
生电压,使得电源电压有波动。
    高频电路:电路中有高频部分因辐射和耦合在电源上产生干扰。
等等。 这些干扰会对同一供电电路中的对电源电压较敏感或精度要求较高的部分,比
如微弱小信号放大器、AD转换器等产生干扰,或者相互干扰,严重时使整个电
路无法工作。为了阻止这种干扰,可以加电源去耦电路来解决,一般常用的电
源去耦电路有RC或LC电路,要求较高的另加用稳压电路。

 

 

在直流电源回路中,负载的变化会引起电源噪声。例如在数字电路中,当电路从一个状态转换为另一种状态时,就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流,形成瞬变的噪声电压。配置去耦电容可以抑制因负载变化而产生的噪声,是印制电路板的可靠性设计的一种常规做法,配置原则如下:
●电源输入端跨接一个10~100uF的电解电容器,如果印制电路板的位置允许,采用100uF以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。

●为每个集成电路芯片配置一个0.01uF的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时,可每4~10个芯片配置一个1~10uF钽电解电容器,这种器件的高频阻抗特别小,在500kHz~20MHz范围内阻抗小于1Ω,而且漏电流很小(0.5uA以下)。

●对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件,应在芯片的电源线(Vcc)和地线(GND)间直接接入去耦电容。

●去耦电容的引线不能过长,特别是高频旁路电容不能带引线

 

 

数字电路去耦电容(原创)(红心J)

        数字电路输出信号电平转换过程中会产生很大的冲击电流,在供电线
        和电源内阻上产生较大的压降,使供电电压产生跳变,产生阻抗噪声(亦
        称开关噪声),形成干扰源。
        一、冲击电流的产生:
        (1)输出级控制正负逻辑输出的管子短时间同时导通,产生瞬态尖峰电流
        (2)受负载电容影响,输出逻辑由“0”转换至“1”时,由于对负载电容的充
            电而产生瞬态尖峰电流。
            瞬态尖峰电流可达50ma,动作时间大约几ns至几十ns。
        二、降低冲击电流影响的措施:
        (1)降低供电电源内阻和供电线阻抗
        (2)匹配去耦电容
        三、何为去耦电容
            在ic(或电路)电源线端和地线端加接的电容称为去耦电容。
        四、去耦电容如何取值
            去耦电容取值一般为0.01~0.1uf,频率越高,去耦电容值越小。
        五、去耦电容的种类
        (1)独石  (2)玻璃釉  (3)瓷片  (4)钽
        六、去耦电容的放置
            去耦电容应放置于电源入口处,连线应尽可能短。

 

 

 

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