①电阻在室温下按技术条件进行{bfb}测试,剔除不合格品.
②普通电容器在室温下按技术条件进行{bfb}测试,剔除不合格品.
③接插件按技术条件抽样检测各种参数.
④半导体器件按以下程序进行筛选:
目检→初测→高温贮存→高低温冲击→电功率老化→高温测试→低温测试→常温测试 筛选结束后应计算剔除率Q
首先是恰当地选用合适的元器件:
①尽量选用硅半导体器件,少用或不用锗半导体器件.
②多采用集成电路,减少分立器件的数目.
③开关管选用MOSFET能简化驱动电路,减少损耗.
④输出整流管尽量采用具有软恢复特性的二极管.
⑤应选择金属封装、陶瓷封装、玻璃封装的器件.禁止选用塑料封装的器件.
⑥集成电路必须是一类品或者是符合MIL-M-38510、MIL-S-19500标准B-1以上质量等级的军品.
⑦设计时尽量少用继电器,确有必要时应选用接触良好的密封继电器.
⑧原则上不选用电位器,必须保留的应进行固封处理.
⑨吸收电容器与开关管和输出整流管的距离应当很近,因流过高频电流,故易升温,所以要求这些电容器具有高频低损耗和耐高温的特性. 在潮湿和盐雾环境下,铝电解电容会发生外壳腐蚀、容量漂移、漏电流增大等情况,所以在舰船和潮湿环境,{zh0}不要用铝电解电容.由于受空间粒子轰击时,电解质会分解,所以铝电解电容也不适用于航天电子设备的开关电源中. 钽电解电容温度和频率特性较好,耐高低温,储存时间长,性能稳定可靠,但钽电解电容较重、容积比低、不耐反压、高压品种(>125V)较少、价格昂贵.
①尽量选用硅半导体器件,少用或不用锗半导体器件.
②多采用集成电路,减少分立器件的数目.
③开关管选用MOSFET能简化驱动电路,减少损耗.
④输出整流管尽量采用具有软恢复特性的二极管.
⑤应选择金属封装、陶瓷封装、玻璃封装的器件.禁止选用塑料封装的器件.
⑥集成电路必须是一类品或者是符合MIL-M-38510、MIL-S-19500标准B-1以上质量等级的军品.
⑦设计时尽量少用继电器,确有必要时应选用接触良好的密封继电器.
⑧原则上不选用电位器,必须保留的应进行固封处理.
⑨吸收电容器与开关管和输出整流管的距离应当很近,因流过高频电流,故易升温,所以要求这些电容器具有高频低损耗和耐高温的特性. 在潮湿和盐雾环境下,铝电解电容会发生外壳腐蚀、容量漂移、漏电流增大等情况,所以在舰船和潮湿环境,{zh0}不要用铝电解电容.由于受空间粒子轰击时,电解质会分解,所以铝电解电容也不适用于航天电子设备的开关电源中. 钽电解电容温度和频率特性较好,耐高低温,储存时间长,性能稳定可靠,但钽电解电容较重、容积比低、不耐反压、高压品种(>125V)较少、价格昂贵.
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