是指用甲级厚电云母经过剥分、切制而成，稳定性好。用作云母电容器的电介质材料，具有电容稳定性打及介质损耗角很小，因此工业上广泛的采用云母电容器作为电子工业原件：
云母电容器芯片电气性能要求：
项目
厚度（微米）
2270-1
2270-2
介质常熟
46
46
体积电阻
42*1015
介质损耗角正切值
106赫兹时为0.0003；103赫兹时为0.0004
106赫兹时为0.0003；103赫兹时为0.0004
击穿电压
20-25
1500V
1500V
25-30
1700V
1700V
30-35
2000V
2000V
35-40
2500V
2500V
40以上
3000V
3000V
云母电容器芯片电气性能要求：
项目
厚度（微米）
2270-1
2270-2
介质常熟
46
46
体积电阻
42*1015
介质损耗角正切值
106赫兹时为0.0003；103赫兹时为0.0004
106赫兹时为0.0003；103赫兹时为0.0004
击穿电压
20-25
1500V
1500V
25-30
1700V
1700V
30-35
2000V
2000V
35-40
2500V
2500V
40以上
3000V
3000V
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