晶体片的研磨工序，是将切割好的晶体片进行再加工的一道工序，是包管晶体片制备质量的主要环节。此工序在加工晶体片的进程中，针对不一样的晶体，有时要采用粗磨和精磨二道工序。为什么要如许做呢？这是由于，研磨晶体片时，研磨机的转数、压力和研磨料料的颗粒度的巨细的选择，对研磨结果是有着直接关系的。
磨料颗粒度的巨细与研磨盘的速度（在压力必然的状况下）成正比，与研磨质量成反比。这就是说磨料的颗粒度大，对晶体片的磨削速度就快，也就是去层率高。但因为磨料的颗粒度大，就会对晶体片外表形成一致颗粒度巨细的机械毁伤层，晶体片外表粗拙质量下降。反之，我们选择小颗粒度的磨料，晶体片外表质量因其颗粒度小而获得改善。但晶体片的磨削量就会下降，去层率低。
要获得好的晶体片的片的质量，又能进步出产效率，就必需选择恰当的磨料、合理的研磨。如许，就发生了粗磨和精磨二道工序的概念。粗磨工序时，选择合理的、较大颗粒的磨料，进步对晶体片的磨削速度，添加去层率是首要目标。精磨工序时，合理地选择较小颗粒的磨料，进步对晶体片的外表改善，为抛光工序做预备，是这一工序的首要目标。3M研磨材料的粗磨和精磨要在两个设备上隔离操作完成，以防磨料互相传染，这是要严厉执行的。
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